[发明专利]有机发光装置及其制造方法在审
申请号: | 201380064842.7 | 申请日: | 2013-12-11 |
公开(公告)号: | CN104919593A | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
发明(设计)人: | 金敏基;朴汉善;都义斗 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种具有红色子像素区域、绿色子像素区域、蓝色子像素区域和白色子像素区域的有机发光装置,包括:
下基板;
形成在所述下基板上的阳极;
形成在所述阳极上的有机发光层,所述有机发光层发射白色光;
形成在所述有机发光层上的阴极;和
反射减少层,所述反射减少层形成在与所述白色子像素区域对应的一部分阴极上,用于减少所述白色子像素区域处的阴极对所述有机发光层发射的光的反射。
2.根据权利要求1所述的有机发光装置,其中所述阳极在所述红色子像素区域、所述绿色子像素区域和所述蓝色子像素区域中具有不同的厚度。
3.根据权利要求2所述的有机发光装置,其中所述白色子像素区域中的阳极具有与所述红色子像素区域、所述绿色子像素区域和所述蓝色子像素区域之一中的阳极大致相同的厚度。
4.根据权利要求1所述的有机发光装置,其中所述反射减少层形成在与所述白色子像素区域对应的所述一部分阴极的上表面、下表面、或上表面和下表面上。
5.根据权利要求1所述的有机发光装置,其中所述反射减少层包括钼氧化物(MoO3)、硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiO2)和氧化铟锌(IZO)中的一种多种。
6.根据权利要求1所述的有机发光装置,其中所述反射减少层包括有机材料。
7.根据权利要求1所述的有机发光装置,其中所述阳极包括反射金属层和透明导电氧化物层。
8.根据权利要求7所述的有机发光装置,其中所述反射减少层的厚度大于所述阴极的厚度。
9.根据权利要求8所述的有机发光装置,其中所述阴极由Ag以大约到的厚度形成,且其中所述反射减少层由IZO以大约到的厚度形成。
10.根据权利要求8所述的有机发光装置,其中所述阴极由Ag以大约到的厚度形成,且其中所述反射减少层由MoO3以大约到的厚度形成。
11.根据权利要求4所述的有机发光装置,其中在与所述白色子像素区域对应的阴极的上表面上形成有第一反射减少层并在与所述白色子像素区域对应的阴极的下表面上形成有第二反射减少层,所述第一反射减少层和第二反射减少层具有彼此不同的厚度。
12.一种有机发光装置,包括:
下基板;
形成在所述下基板上的第一电极;
形成在所述第一电极上的用于发射白色光的有机发光层;
形成在所述有机发光层的第一部分上的第二电极;和
形成在所述有机发光层的第二部分上的第三电极,
其中所述第三电极具有比所述第二电极高的光透射率。
13.根据权利要求12所述的有机发光装置,其中所述有机发光层的第一部分对应于红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域中的至少一个,且其中所述有机发光层的第二部分对应于白色子像素区域。
14.根据权利要求12所述的有机发光装置,其中所述第二电极和所述第三电极形成在同一平面上。
15.根据权利要求12所述的有机发光装置,其中所述第二电极和所述第三电极彼此电连接,以形成阴极。
16.根据权利要求12所述的有机发光装置,其中所述第二电极由金属合金形成,且其中所述第三电极由透明导电氧化物材料形成。
17.根据权利要求16所述的有机发光装置,其中所述第二电极由MgAg形成,且所述第三电极由IZO形成。
18.一种制造有机发光装置的方法,所述有机发光装置具有对应于红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域的第一部分以及对应于白色子像素区域的第二部分,所述方法包括:
在下基板上形成阳极;
在所述阳极上形成有机发光层;和
在所述有机发光装置的第二部分中的有机发光层上形成阴极和反射减少层,以减少所述阴极对所述有机发光层发射的光的反射。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的