[发明专利]具有改进形态的ZSM-58晶体的合成

权利要求书

1.包含具有圆盘形态的ZSM-58晶体的组合物，所述晶体具有1.1或更小的轴比，轴比为顶点-顶点距离与边-边距离的比，深度尺寸小于顶点-顶点距离和边-边距离，ZSM-58晶体具有单峰体积相对于晶体尺寸分布，其中小于10体积％的ZSM-58晶体具有约5μm或更小的特征尺寸，ZSM-58晶体具有至少约90％的纯度。

2.根据权利要求1的组合物，其中单峰体积相对于晶体尺寸分布中的峰的晶体尺寸为约15μm至约40μm，且具有1μm组宽的体积相对于晶体尺寸图中的峰高为至少约10体积百分比。

3.根据权利要求1或权利要求2的组合物，其中单峰体积相对于晶体尺寸分布进一步包含体积相对于晶体尺寸分布，其中在对应于峰高度的一半的体积处的晶体尺寸之间的差为大约该峰的晶体尺寸或者更小。

4.根据权利要求1-3中任一项的组合物，其中深度尺寸与边-边距离的比为约0.9或更小。

5.合成DDR骨架型沸石的方法，其包括：

形成能够形成结晶DDR骨架型材料如ZSM-58的反应混合物，所述混合物包含水、氧化硅(优选SiO₂)、碱或碱土氢氧化物和甲基托品盐结构导向剂，混合物具有约12至约25，优选约12至约20的水:氧化硅摩尔比，约0.01至约1.0的氢氧化物:氧化硅摩尔比，约0.01至约1.0的碱和碱土金属:氧化硅摩尔比，约0.01至约2.0的结构导向剂:氧化硅摩尔比，以及相对于混合物中氧化硅的重量为至少约0.05重量％的晶种，优选约1.0重量％或更少的晶种；和

回收DDR骨架型晶体(例如ZSM-58晶体)，所述晶体具有1.1或更小的轴比，轴比为顶点-顶点距离与边-边距离的比，深度尺寸小于顶点-顶点距离和边-边距离，结构导向剂优选包含甲基托品氯化物或者为甲基托品氯化物。

6.根据权利要求5的方法，其中DDR骨架型晶体具有单峰体积相对于晶体尺寸分布，其中小于10体积百分比的DDR骨架型晶体具有约5μm或更小的特征尺寸，体积相对于晶体尺寸分布中的峰的晶体尺寸为约15μm至约40μm，且具有1μm组宽的体积相对于晶体尺寸图中的峰高为至少约10体积百分比。

7.根据权利要求5或权利要求6的方法，其中单峰体积相对于晶体尺寸分布进一步包含体积相对于晶体尺寸分布，其中在对应于峰高度的一半的体积处的晶体尺寸之间的差为大约该峰的晶体尺寸或者更小。

8.根据权利要求5-7中任一项的方法，其中反应混合物进一步包含基于反应混合物中二氧化硅的重量为约0.05重量％至约5.0重量％的晶种。

9.根据权利要求5-8中任一项的方法，其中反应混合物进一步包含氧化铝来源。

10.根据权利要求5-9中任一项的方法，其中轴比为1.05或更小。

11.根据权利要求5-10中任一项的方法，其中深度尺寸与边-边距离的比为约0.9或更小。

12.根据权利要求5-11中任一项的方法，其中反应混合物在形成DDR骨架型晶体期间保持在约120℃至约175℃的温度下。