[发明专利]LED模块

说明书

技术领域

本发明涉及将LED裸片覆盖并封装化了的LED装置载置在模块基板上的LED模块。

背景技术

高亮度化且作为裸片的LED裸片逐渐大型化、达到1mm×(0.5～1)mm左右。这样的大小与电阻等其他芯片元件为相同程度，因此，利用树脂等将LED裸片封装化了的LED装置希望具有与LED裸片相同程度的平面尺寸。由于该封装直接反映LED裸片的尺寸，因此有时被称为芯片尺寸封装(以下称为“CSP”)。CSP的安装面积较小、封装用构件较少。而且，能够根据必要的亮度来简单地改变搭载在主基板上的CSP的个数，因此，具有增加照明装置等的设计自由度的特点。

图14是作为第1现有例示出的CSP化了的发光装置100(LED装置)的截面图。

图14记载的发光装置100是CSP的最终结构，是LED裸片的芯片尺寸与封装外形一致的LED装置，是专利文献1的图6所示的装置。图14中，在层叠体112c(半导体层)的上表面层叠有荧光体层130c和透镜132。在层叠体112c的下部，具有电解电镀时通用电极未被蚀刻剩余的种金属(シード金属)122a、122b、铜配线层124a、124b、电镀形成的柱状的铜柱126a、126b。

层叠体112c包括：p型包覆层112b、发光层112e、n型包覆层112a，并被在下表面部分开口的绝缘层120c覆盖。在铜柱126a、126b的下部贴付有焊锡球136a、136b，在该铜柱126a、126b之间填充有加强树脂128。

图14所示的发光装置100的平面尺寸与层叠体112c的平面尺寸一致。发光装置100通过将发光装置100排列连结的晶片切分而得到，在以CSP切分的产品组中是最小的，因此有时也被称为WLP(晶片级封装)。发光装置100中，由于去除了本来在层叠体112c上的透明绝缘基板(参照专利文献1的第0026段、图2。)，来自发光层112e的光仅向上方(箭头F)射出。因此，仅在LED装置6的上部设置荧光体层130c。

图14所示的LED装置100中，为了去除透明绝缘基板使用了激光，制造装置大型化，制造工序变长。另外，LED装置100中，由于以晶片级来形成荧光体层130c，因此不能够对应晶片上的个别LED裸片所具有的发光特性的偏差。结果导致LED装置100有时难以进行发光色的管理。

因此，作为小型的，容易制作的发光色管理容易的LED装置，本申请发明人试作了如下的LED装置：即，留下透明绝缘基板，将形成于透明绝缘基板的下表面的半导体层侧面连同透明绝缘基板的侧面一起用白色反射构件覆盖，由荧光体片覆盖了透明绝缘基板以及白色反射构件的上表面的倒装芯片安装用的LED装置(参照专利文献2)。

图15是作为第2现有例示出的LED装置200的截面图。LED装置200是专利文献2所示的LED装置。

LED装置200包含LED裸片216b，LED裸片216b具有蓝宝石基板214b(透明绝缘基板)和形成于其下表面的半导体层215b，在LED裸片216b的侧面具有白色反射构件217b，在LED裸片216b以及白色反射构件217b的上表面具有对出射光进行波长变换的荧光体片211b。在荧光体片211b和蓝宝石基板214b之间具有粘接层213b，对荧光体片211b和蓝宝石基板214b进行粘接。与LED裸片216b的半导体层215b接触的突起电极218b、219b分别是阳极和阴极，成为用于与主基板或模块基板连接的外部连接电极。主基板是将LED装置200与电阻、电容等其他的电子元件一起安装的基板。模块基板包含在作为发光元件使用的LED模块中，是搭载了多个LED装置的基板。

LED装置200能够根据个别的LED裸片216b的发光特性来变更荧光体片211b，容易进行发光色的管理，为了确保遮光、反射等特性，白色反射构件217b的厚度为100μm以下就足够了，因此能实现小型化。另外，能够适用在多个LED裸片216b排列的状态下进行加工，最后进行切分得到个别的LED装置200的集合方法，因此容易进行制造。进一步地，由于LED装置200是小型的，因此在构成LED模块时，能够在模块基板上进行狭间距排列以及高密度安装。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-141176号公报

专利文献2：日本特开2012-227470号公报

发明内容

发明要解决的技术问题