[发明专利]芳族化合物的无过渡金属的甲硅烷基化

权利要求书

1.一种方法，包括：使包含芳族部分的有机基质与(a)至少一种有机硅烷和(b)至少一种强碱的混合物在足以使所述基质甲硅烷基化的条件下接触；其中所述混合物和所述基质大体上无过渡金属化合物。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述过渡金属化合物以相对于总体系的重量的小于10ppm而存在。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述混合物还包含任选地取代的四烷基乙二胺(例如，四甲基乙二胺)、任选地取代的1,10-菲咯啉衍生物、任选地取代的2,2'-联吡啶衍生物或任选地取代的4-二甲基氨基吡啶衍生物。

4.如权利要求1所述的方法，所述方法大体上无水、氧气、或水和氧气二者。

5.如权利要求1所述的方法，其中至少一种有机硅烷包含式(I)或式(II)的有机硅烷：

(R)_4-mSi(H)_m  (I)  R—[—SiH(R)-O—]_n—R  (II)

其中m是1、2或3(优选是1)；

n是10至100；并且

每个R独立地是任选地取代的C_1-12烷基或杂烷基、任选地取代的C_5-20芳基或杂芳基、任选地取代的C_6-30烷芳基或杂烷芳基、任选地取代的C_6-30芳烷基或杂芳烷基、任选地取代的-O-C_1-12烷基或杂烷基、任选地取代的-O-C_5-20芳基或杂芳基、任选地取代的-O-C_6-30烷芳基或杂烷芳基、或任选地取代的-O-C_6-30芳烷基或杂芳烷基，并且，如果被取代的话，那么取代基可以是膦酸根、磷酰基、氧膦基、膦基、磺酸根、C₁-C₂₀烷基硫烷基、C₅-C₂₀芳基硫烷基、C₁-C₂₀烷基磺酰基、C₅-C₂₀芳基磺酰基、C₁-C₂₀烷基亚磺酰基、C₅-C₂₀芳基亚磺酰基、磺酰氨基、氨基、酰氨基、亚氨基、硝基、亚硝基、羟基、C₁-C₂₀烷氧基、C₅-C₂₀芳氧基、C₂-C₂₀烷氧基羰基、C₅-C₂₀芳氧基羰基、羧基、羧酸根、巯基、甲酰基、C₁-C₂₀硫酯、氰基、氰酸根、硫代氰酸根、异氰酸酯、硫代异氰酸酯、氨基甲酰基、环氧基、苯乙烯基、甲硅烷基、甲硅氧基、硅烷基、硅氧烷氮烷基、硼酸根、硼基、或卤素、或含金属的基团或含准金属的基团，其中所述准金属是Sn或Ge，其中所述取代基可以任选地向包括氧化铝、二氧化硅或碳的不可溶的或微溶的支持介质提供链接。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述有机硅烷是(R)₃SiH，其中每个R独立地是C_1-6烷基。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一种强碱包括碱金属或碱性金属的氢化物或醇盐。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一种强碱包括碱金属或碱性金属的氢化物。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述至少一种强碱包括氢化钙或氢化钾。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一种强碱包括碱金属或碱性金属的醇盐。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述至少一种醇盐包含C_1-12直链的或支链的烷基部分或C_5-10芳基或杂芳基的部分。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述至少一种醇盐包括甲醇盐、乙醇盐、丙醇盐、丁醇盐或2-乙基-己醇盐。

13.如权利要求7所述的方法，其中所述碱金属或碱性金属的氢化物或醇盐是钾或铯的醇盐。