[发明专利]用于减少阻隔层的伤害的涂布方法

说明书

技术领域

本申请涉及一种涂布方法，当进行保护性涂布以保护阻隔膜的阻隔层时，所述涂布方法能够通过在阻隔层上进行非接触涂布方法而抑制透水率的劣化。

背景技术

由于堆叠了具有约数十或100nm厚度的阻隔层，气体阻隔膜(即阻隔膜)具有气体阻隔性能。形成阻隔层的方法的实例包括原子层沉积(ALD)。由于所述方法具有良好的厚度一致性、膜密度和正形性(conformality)，因此所述方法被用于在半导体装置、耐磨膜、或抗蚀膜中形成金属阻隔层。在半导体领域中，通常在由无机材料(如硅晶片)制成的沉积基板上进行原子层沉积(ALD)。水分子吸附至这些无机材料的表面上以自然地形成羟基基团，然后这些羟基基团与有机金属反应，由此通过原子层沉积(ALD)可堆叠具有良好附着性的均质氧化物膜。例如，Al₂O₃沉积工艺可由以下反应1来表示。由反应1(a)中可知，当在基板的表面上的羟基基团的密度增加时，在沉积层和所述基板之间的附着性增加，复合堆叠体的耐久性改进，从而在所述表面上形成更密集的阻隔层：

反应1

(a)：基板-OH+Al(CH₃)₃→基板-O-Al(CH₃)₂+CH₄

(b)：基板-O-Al(CH₃)₂+2H₂O→基板-O-Al(OH)₂+2CH₄

然而，由于阻隔层的厚度非常小，当膜受损时，气体阻隔性能显著地降低。因此，应通过涂布层保护所述阻隔层以抑制气体阻隔性能的降低。

发明内容

技术问题

本申请针对一种阻隔膜，所述阻隔膜能够保护在一般使用期间可能因水分而劣化的产品，如显示装置或光伏元件；一种制备阻隔膜的方法，其中，当形成保护通过原子层沉积(ALD)在基板上形成的薄无机层(即阻隔层)的保护层时，所述保护层以使用非接触性涂布方法而使与所述阻隔层的接触最小化的方式形成，从而防止所述阻隔层的损害和气体阻隔性能的降低；以及一种阻隔膜形成设备。

技术方案

本申请涉及一种制备阻隔膜的方法，所述方法包括在基板层上形成阻隔层和保护层。制备所述阻隔膜的示例性方法可包括：通过原子层沉积(ALD)在基板层上形成阻隔层，以及通过非接触性涂布方法用涂布组合物涂布所述阻隔层从而形成保护层。

有益效果

根据本申请，其效果在于：提供了阻隔膜，其中，根据非接触性涂布方法在通过原子层沉积(ALD)形成于基板上的阻隔层上形成保护层，从而最小化与所述阻隔层的接触且防止所述阻隔层的损害，并抑制气体阻隔性能的降低，因此提高了耐久性和气体阻隔性能。

因此，本申请的阻隔膜用于容易因水分而劣化的产品，例如，如LCD或OLED的显示装置，或者如太阳能电池的光伏元件。

附图说明

图1是显示根据本申请的一个实施例的阻隔膜的示意图；

图2是显示根据本申请的另一个实施例的阻隔膜的结构的示意图；以及

图3是显示根据本申请的一个实施例的阻隔膜形成设备的横截面的图。

具体实施方式

本申请涉及一种制备阻隔膜的方法，所述方法包括在基板层上形成阻隔层和保护层。制备所述阻隔膜的示例性方法可包括通过原子层沉积(ALD)在基板层上形成阻隔层，以及通过非接触性涂布方法用涂布组合物涂布所述阻隔层从而形成所述保护层。

以下，将详细地描述本申请。

本申请的阻隔膜通过以下形成：通过原子层沉积(ALD)在基板层上形成薄阻隔层，以及使用非接触性涂布方法形成保护层，当形成保护所述阻隔层的保护层时，所述非接触性涂布方法使得与阻隔层的接触最小化。由此，防止了阻隔层的损伤，并抑制气体阻隔性能的降低。

本申请的阻隔膜的阻隔层可在基板层上方或下方形成，并且可通过附着两片复合膜来使用。

所述基板层的实例可包括金属氧化物基板、半导体基板、玻璃基板、塑料基板等。

所述基板层可以是单层、或相同或不同种类的两层以上的多层。

此外，所述基板层的表面可进行电晕处理、常压等离子体处理、或粘合剂底漆处理以使得能够附着。

根据本申请，可以在基板层上进一步形成中间层。