[发明专利]测量用于运送及在大气压下存储半导体基材的运送腔室的颗粒污染的站及方法有效

专利信息
申请号: 201380062199.4 申请日: 2013-11-29
公开(公告)号: CN104823271A 公开(公告)日: 2015-08-05
发明(设计)人: C·托威克斯;B·贝莱;N·沙佩尔 申请(专利权)人: 阿迪克森真空产品公司
主分类号: H01L21/673 分类号: H01L21/673
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 杨晓光;于静
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要:
搜索关键词: 测量 用于 运送 大气 压下 存储 半导体 基材 颗粒 污染 方法
【权利要求书】:

1.一种测量用于运送及在大气压下存储半导体基材的运送载具的颗粒污染的测量站,所述运送载具包含刚性外壳(2),所述刚性外壳包含孔口及可去除的门(3)以允许所述孔口被关闭,所述测量站包含:

受控环境腔室(4),其包含至少一个载入端口(8),所述载入端口能够一方面耦合至所述刚性外壳(2)且另一方面耦合至所述运送载具的所述门(3),用以将所述门(3)移入所述受控环境腔室内(4);及

测量模块(5),其包含颗粒测量单元(14),

其特征在于所述测量模块(5)包含:

-外壳-测量接口(16),其被配置为在所述门(3)的位置处耦合至被耦合至所述受控环境腔室(4)的所述刚性外壳(2),从而限定第一测量体积(V1),所述外壳-测量接口(16)包含至少一个注入喷嘴(20)及连接至所述颗粒测量单元(14)的第一取样口(12);以及

-中空的门-测量接口(21),其被配置为耦合至所述门(3),从而限定在所述测量模块(5)的测量面(22)和相对的门(3)之间的第二测量体积(V2),所述测量面(22)包含至少一个注入喷嘴(23)及连接至所述颗粒测量单元(14)的第二取样口(24)。

2.如权利要求1所述的测量站,其特征在于,所述中空的门-测量接口(21)具有通常地框状形状。

3.如权利要求1或2所述的测量站,其特征在于,所述门(3)能够在在所述中空的门-测量接口(21)的方向上被移动。

4.如权利要求1至3中的一项所述的测量站,其特征在于,所述测量模块(5)包含模块移动机构(15;26),其被配置为在停置位置和所述被耦合的刚性外壳(2)内的测量位置之间移动所述外壳-测量接口(16)。

5.如权利要求3和4所述的测量站,其特征在于,所述外壳-测量接口(16)和所述中空的门-测量接口(21)被背靠背地设置,并且在于所述外壳-测量接口(16)能够被平移至所述被耦合的刚性外壳(2)内,以及在于所述门(3)能够被在所述中空的门-测量接口(21)的方向上平移。

6.如上述权利要求的一项所述的测量站,其特征在于,所述颗粒测量单元(14)的取样管路(19)包含包括阀的装置(29a,29b),用以选择性地在所述第一及第二取样口(12,24)之间切换。

7.如上述权利要求的一项所述的测量站,其特征在于,所述外壳-测量接口(16)包含至少两个注入喷嘴(20),其被配置为将气体喷流导引到被耦合至所述受控环境腔室(4)的所述刚性外壳(2)的至少两个分开的位置上,所述注入喷嘴(20)的各自取向被相对于所述被耦合的刚性外壳(2)而固定。

8.如上述权利要求的任一项所述的测量站,其特征在于,所述外壳-测量接口(16)包含测量头(13),所述测量头从所述外壳-测量接口(16)的基部而伸出。

9.如权利要求8所述的测量站,其特征在于,所述测量头(13)具有通常地平行六面体形状,并且在于从所述外壳-测量接口(16)的所基部而伸出的所述测量头(13)的五个面中的每一面包含至少一个注入喷嘴(20)。

10.如权利要求6至8中的一项所述的测量站,其特征在于,所述测量站包含处理单元(27),所述处理单元被配置为控制所述气体至所述注入喷嘴(20,23)内的选择性注入。

11.一种在如权利要求1至10中的一项所述的测量站内实施的用于测量运送及在大气压力下存储半导体基材的运送载具的颗粒污染的方法,其特征在于所述测量方法包含:

-将所述测量模块(5)耦合至所述刚性外壳(2)的步骤,从而限定在所述外壳-测量接口(16)和所述被耦合的刚性外壳(2)之间的第一测量体积(V1),用以测量所述刚性外壳(2)的内壁的污染;以及

-将所述门(3)耦合至所述测量模块(5)的步骤,从而限定在所述测量面(22)和相对的门(3)之间的第二测量体积(V2),用以测量所述门(3)的污染。

12.如权利要求11所述的测量方法,其特征在于,第一间隙被留在所述外壳-测量接口(16)和被耦合至所述外壳-测量接口(16)的所述刚性外壳(2)之间,被注入到所述注入喷嘴(20)内的所述气体喷流被参数化,用以产生经由所述第一间隙被朝向所述刚性外壳(2)的外部导引的渗漏气流,,并且在于第二间隙被留在所述中空的门-测量接口(21)和被耦合至所述中空的门-测量接口(21)的所述刚性外壳(2)之间,被注入到所述注入喷嘴(23)内的所述气体喷流被参数化,以产生经由所述第二间隙被朝向所述中空的门-测量接口(21)的外部导引的渗漏气流。

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