[发明专利]包括基板的传感器

权利要求书

1.一种传感器(1)，包括：

-一个n掺杂基板(2)，

-多个测量电子器件，这些测量电子器件至少部分地安排在该基板(2)上，所述测量电子器件包括一个惠斯通电桥(3)，

-一个场屏蔽(4)，该场屏蔽被安排在该基板(2)上，其方式为该场屏蔽(4)覆盖该惠斯通电桥(3)，

-一个电源，该电源被安排成用于将电压供应到该基板(2)和这些测量电子器件上，其方式为：

-将一个准直流电压供应到该惠斯通电桥(3)上，并且

-将一个直流电压供应到该基板(2)上，所述直流电压的电平高于或等于所述供应到该惠斯通电桥(3)上的准直流电压。

2.根据权利要求1所述的传感器(1)，其中，该电源被进一步安排成用于将电压供应到该场屏蔽(4)上，其方式为所述供应到该场屏蔽上的电压的电平高于或等于所述供应到该惠斯通电桥(3)上的准直流电压。

3.根据权利要求2所述的传感器(1)，其中，所述供应到该基板(2)上的直流电压的电平等于所述供应到该场屏蔽(4)上的电压的电平。

4.根据权利要求2所述的传感器(1)，其中，所述供应到该场屏蔽(4)上的电压跟随着所述供应到该惠斯通电桥(3)上的准直流电压。

5.根据以上权利要求中任一项所述的传感器(1)，其中，所述供应到该基板(2)上的直流电压电平与所述供应到该惠斯通电桥(3)上的准直流电压之间的差值至少是0.5V。

6.根据以上权利要求中任一项所述的传感器，其中，这些测量电子器件进一步包括一个或多个电阻器(15，16)，每个电阻器(15，16)电连接在该电源与该惠斯通电桥(3)的一个激励节点(5，6)之间。

7.根据以上权利要求中任一项所述的传感器(1)，其中，该惠斯通电桥(3)由在该基板(2)中实现的多个p掺杂电阻器(17)形成。

8.根据以上权利要求中任一项所述的传感器(1)，其中，该传感器(1)是一个压阻式MEMS传感器芯片。

9.根据以上权利要求中任一项所述的传感器(1)，其中，这些测量电子器件进一步包括一个开关装置(9)，所述开关装置(9)被安排成用于生成一个准直流电压信号并且将所生成的该准直流电压信号供应到该惠斯通电桥(3)上。

10.根据以上权利要求中任一项所述的传感器(1)，其中，该传感器(1)是一个压力传感器。

11.一种传感器(1)，包括：

-一个p掺杂基板(2)，

-多个测量电子器件，这些测量电子器件至少部分地安排在该基板(2)上，所述测量电子器件包括一个惠斯通电桥(3)，

-一个场屏蔽(4)，该场屏蔽被安排在该基板(2)上，其方式为该场屏蔽覆盖该惠斯通电桥(3)，

-一个电源，该电源被安排成用于将电压供应到该基板(2)和这些测量电子器件上，其方式为：

-将一个准直流电压供应到该惠斯通电桥(3)上，并且

-将一个直流电压供应到该基板(2)上，所述直流电压的电平低于或等于所述供应到该惠斯通电桥(3)上的准直流电压。

12.根据权利要求11所述的传感器(1)，其中，该电源进一步被安排成用于将电压供应到该场屏蔽(4)上，其方式为所述供应到该场屏蔽上的电压的电平低于或等于所述供应到该惠斯通电桥(3)上的准直流电压。

13.根据权利要求11或12所述的传感器(1)，其中，该惠斯通电桥(3)由在该基板(2)中实现的多个n掺杂电阻器(17)形成。

14.根据权利要求11至13中任一项所述的传感器(1)，其中，该传感器(1)是一个压力传感器。