[发明专利]可调谐的高频滤波器

权利要求书

1.同轴的结构型式的高频滤波器，其中，所述高频滤波器具有以下特征：

-所述高频滤波器包括至少一个具有内导体(10)和外导体壳体(24’)的谐振器(1)；

-所述外导体壳体(24’)包括壳体底(20)、与壳体底(20)间隔开的壳体盖(22)和在壳体底(20)与壳体盖(22)之间环绕的壳体壁(24)；

-所述内导体(10)与壳体底(20)电流连接并且沿轴向方向由壳体底(20)朝向壳体盖(22)延伸；

-所述内导体(10)在壳体盖(22)之前间隔开间距地结束和/或与壳体盖(22)电流分离；

-所述谐振器(1)包括与内导体(10)对置地设置的调谐元件(30)，该调谐元件在其轴向位置方面位置可变地至少间接地保持在壳体盖(22)中并且伸到谐振器内腔中；以及

-在壳体盖(22)中或在设在壳体盖(22)中的并且与壳体盖(22)连接的衬套(40)中构成有内螺纹(41)，配设有外螺纹(32)的调谐元件(30)可旋转地设置到该内螺纹中；

其特征在于，所述调谐元件(30)包括介电材料或者由介电材料形成，使得在外螺纹(32)和内螺纹(41)之间避免电流通路。

2.根据权利要求1所述的高频滤波器，其特征在于以下特征：

-所述壳体盖(22)包括与壳体盖(22)电流连接的衬套(40)，该衬套朝向壳体底(20)延伸。

3.根据权利要求1或2所述的高频滤波器，其特征在于以下特征：

-所述内导体(10)具有纵向凹槽(12)，该纵向凹槽由内导体(10)的与壳体盖(22)对置的端侧端部朝向壳体底(20)延伸；以及

-调谐元件(30)能插入到内导体(10)的纵向凹槽(12)中。

4.根据权利要求3所述的高频滤波器，其特征在于以下特征：

-所述衬套(40)以内导体(10)的端侧端部的高度结束或者沉入到内导体(10)的纵向凹槽(12)中；以及

-所述调谐元件(30)突出于衬套(40)的与壳体底(20)对置的端侧端部并且因此还进一步沉入到内导体(10)的纵向凹槽(11)中。

5.根据从属于权利要求2的权利要求3或4之一所述的高频滤波器，其特征在于以下特征：

-所述调谐元件(30)具有中心区段(31)，调谐元件(30)借助于该中心区段位置可变地保持，并且所述调谐元件具有环绕壁(33)，所述环绕壁和调谐元件通过环绕中心区段(31)的凹槽(35)相互分隔，从而在中心区段(31)和环绕壁(33)之间形成间隔腔(35)，其中，中心区段(31)与环绕壁(33)通过调谐元件底(36)相互连接。

6.根据权利要求5所述的高频滤波器，其特征在于以下特征：

-所述衬套(40)的与壳体底(20)对置的端侧端部能容纳在调谐元件(30)的中心区段(31)和环绕壁(33)之间的间隔腔(35)中或者沉入到间隔腔中，从而环绕壁(33)在衬套(40)和内导体(10)之间设置在内导体的纵向凹槽(12)的区域中。

7.根据权利要求5或6所述的高频滤波器，其特征在于，所述调谐元件(30)的环绕壁(33)具有侧棱(34)，从而环绕壁(33)在侧棱(34)之上具有比在侧棱(34)之下更小的壁厚度。

8.根据权利要求5、6或7之一所述的高频滤波器，其特征在于，所述调谐元件(30)此外包括环绕调谐元件(30)的凸缘(37)，该凸缘与环绕壁(33)与壳体盖(22)对置的端侧端部连接并且径向地远离中心区段(31)定向地延伸。

9.根据上述权利要求之一所述的高频滤波器，其特征在于以下特征：

-所述壳体壁(24)和内导体(10)由表现出第一热膨胀系数的第一材料制成，或者所述壳体壁(24)由表现出第一热膨胀系数的第一材料制成，而内导体(10)由表现出第二热膨胀系数的第二材料制成；

-调谐元件(30)由第三材料制成，该第三材料具有第三热膨胀系数；以及

-第三材料的第三热膨胀系数大于第一材料的第一热膨胀系数和/或大于第二材料的第二热膨胀系数。