[发明专利]具有最小顶板寄生电容的可堆叠高密度金属-氧化物-金属电容器

权利要求书

1.一种电容器阵列，包括：

在集成电路的衬底上沿着第一轴被堆叠的第一多个导体，其中所述第一轴垂直于所述衬底位于其上的平面，其中所述第一多个导体中的每个导体通过沿着所述第一轴布置的一个或多个第一通孔连接至所述第一多个导体中的相邻导体；以及

在所述集成电路的所述衬底上沿着所述第一轴被堆叠的第二多个导体，其中所述第二多个导体中的每个导体通过沿着所述第一轴布置的一个或多个第二通孔连接至所述第二多个导体中的相邻导体；

其中所述第一多个导体和所述第二多个导体沿着第二轴被平行布置，所述第二轴(i)垂直于所述第一轴并且(ii)平行于所述衬底位于其上的所述平面；

其中所述第一多个导体分别位于多个平面上，所述多个平面(i)垂直于所述第一轴并且(ii)平行于所述衬底位于其上的所述平面；

其中所述第二多个导体分别位于所述多个平面上；并且

其中沿着所述多个平面在所述第一多个导体与所述第二多个导体之间形成电容；以及

在所述集成电路的所述衬底上沿着所述第一轴被堆叠的第三多个导体，其中所述第二多个导体沿着所述第二轴被布置成平行于所述第一多个导体和所述第三多个导体并且在所述第一多个导体和所述第三多个导体之间，其中所述第三多个导体中的每个导体通过沿着所述第一轴布置的一个或多个第三通孔连接至所述第三多个导体中的相邻导体，并且其中所述第一多个导体之一沿着与所述第一轴和所述第二轴垂直的第三轴延伸以连接至第四多个导体之一；

其中所述第三多个导体分别位于所述多个平面上；

其中沿着所述多个平面在所述第二多个导体与所述第三多个导体之间形成电容；并且

其中所述第四多个导体(i)在所述集成电路的所述衬底上沿着所述第一轴被堆叠并且(ii)沿着所述第三轴被布置成与所述第一多个导体相邻，其中所述第四多个导体中的每个导体通过沿着所述第一轴布置的一个或多个第四通孔连接至所述第四多个导体中的相邻导体。

2.根据权利要求1所述的电容器阵列，其中：

沿着所述多个平面在所述第一通孔与所述第二通孔之间形成电容；并且

沿着所述多个平面在所述第二通孔与所述第三通孔之间形成电容。

3.根据权利要求1所述的电容器阵列，其中：

所述第二多个导体中的导体的数目大于所述第一多个导体中的导体的数目；并且

所述第二多个导体中的导体的数目大于所述第三多个导体中的导体的数目。

4.根据权利要求1所述的电容器阵列，其中：

所述第一多个导体、所述第二多个导体、所述第三多个导体和所述第四多个导体中的导体具有预定尺度；

所述第一多个导体、所述第二多个导体、所述第三多个导体和所述第四多个导体中的导体以第一预定距离被分离；

所述第一多个导体、所述第二多个导体和所述第三多个导体以第二预定距离被分离；并且

在所述第一多个导体与所述第二多个导体之间的电容的值以及在所述第二多个导体与所述第三多个导体之间的电容的值取决于以下各项中的一项或多项：(i)所述预定尺度，(ii)所述第一预定距离，以及(iii)所述第二预定距离。