[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。

背景技术

作为半导体器件的制造工序的一工序，有时进行对处理室内的衬底供给原料气体、反应气体而在衬底上形成膜的工序。

发明内容

然而，在衬底上形成膜时，有时在处理室内的原料气体的浓度产生偏差，针对衬底的处理变得不均匀。为此，在例如处理室内收纳多个衬底而同时进行处理时等，存在所形成的膜的膜厚在衬底之间变得不均匀的情况。

本发明的目的在于提高形成于衬底上的膜的膜厚均匀性。

根据本发明的一方案，提供一种半导体器件的制造方法，包括通过进行规定次数的包括如下工序的循环而在衬底上形成膜的工序，所述循环包括如下工序：

对处理室内的所述衬底供给原料气体；

将残留于所述处理室内的所述原料气体排出；

对所述处理室内的所述衬底供给反应气体；

将残留于所述处理室内的所述反应气体排出，

在供给所述原料气体的工序中，在实质上停止了所述处理室内的排气的状态下，向所述处理室内供给所述原料气体，其后，在实质上停止了所述处理室内的排气及所述原料气体的供给的状态下，向所述处理室内供给惰性气体。

根据本发明的另一方案，提供一种衬底处理装置，包括：

收纳衬底的处理室；

向所述处理室内供给原料气体的原料气体供给系统；

向所述处理室内供给反应气体的反应气体供给系统；

向所述处理室内供给惰性气体的惰性气体供给系统；

对所述处理室内进行排气的排气系统；以及

控制部，其被构成为以如下方式控制所述原料气体供给系统、所述反应气体供给系统、所述惰性气体供给系统及所述排气系统：进行通过进行规定次数的包括如下处理的循环而在所述衬底上形成膜的处理，所述循环包括如下处理：对所述处理室内的衬底供给所述原料气体；将残留于所述处理室内的所述原料气体排出；对所述处理室内的所述衬底供给所述反应气体；将残留于所述处理室内的所述反应气体排出，

在供给所述原料气体的处理中，在实质上停止了所述处理室内的排气的状态下，向所述处理室内供给所述原料气体，其后，在实质上停止了所述处理室内的排气及所述原料气体的供给的状态下，向所述处理室内供给惰性气体。

根据本发明的又一方案，提供一种计算机可读取的记录介质，记录有如下程序，所述程序使计算机执行通过进行规定次数的包括如下步骤的循环而在衬底上形成膜的步骤，所述循环包括如下步骤：对所述处理室内的所述衬底供给原料气体；将残留于所述处理室内的所述原料气体排出；对所述处理室内的所述衬底供给反应气体；将残留于所述处理室内的所述反应气体排出，

在供给所述原料气体的步骤中，在实质上停止了所述处理室内的排气的状态下，向所述处理室内供给所述原料气体，其后，在实质上停止了所述处理室内的排气及所述原料气体的供给的状态下，向所述处理室内供给惰性气体。

根据本发明，提高形成于衬底上的膜的膜厚均匀性。

附图说明

图1是本发明的一实施方式中优选使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，是用纵剖视图表示处理炉部分的图。

图2是本发明的一实施方式中优选使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，是用图1的A－A线剖视图表示处理炉部分的图。

图3是本发明的一实施方式中优选使用的衬底处理装置的控制器的概略构成图，是用框图表示控制器的控制系统的图。

图4是表示本发明的一实施方式的成膜顺序中的成膜流程的图。

图5是表示本发明的一实施方式的成膜顺序中的气体供给、设定压力变更、APC阀开闭及高频电力供给的定时的图。

图6的(a)是表示本发明的一实施方式的变形例的成膜顺序中的气体供给、设定压力变更、APC阀开闭及高频电力供给的定时的图，图6的(b)是表示本发明的一实施方式的其他变形例的成膜顺序中的气体供给、设定压力变更、APC阀开闭及高频电力供给的定时的图。

图7是表示本发明的实施例及比较例的SiO膜的膜厚和其面间均匀性的曲线图。

图8是表示本发明的实施例及比较例的SiO膜的膜厚的面内均匀性的曲线图。

图9是表示本发明的实施例及比较例的BTBAS气体的使用量的曲线图。