[发明专利]电流分散效果优秀的发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光器件(Light-Emitting device)及其制备方法，更详细地涉及电流分散效果优秀的发光器件及其制备方法。

背景技术

发光器件通常具有n型半导体层、p型半导体层以及在上述n型半导体层和p型半导体层之间可借助电子/空穴复合发光的活性层。并且，发光器件具有向n型半导体层供给电子的n侧电极和向p型半导体层供给空穴的p侧电极。

发光器件可根据电极的位置区分为水平式(lateral)结构及垂直式(vertical)结构。通常，水平式结构及垂直式结构根据使用于发光器件的基板是否导电来决定。例如，使用如蓝宝石基板之类的具有电绝缘性的基板的发光装置主要由水平式结构来实现。

在这种水平式结构的发光器件的情况下，p侧电极可直接形成于p型半导体层上。但是，n侧电极通过台面刻蚀(mesa etching)部分地去除p型半导体层及活性层，从而在n型半导体层的一部分区域被露出的状态下形成。

在如上所述的水平式结构的发光器件中，通过台面刻蚀使发光面积减少，并且侧向形成电流流动。其结果，在整体面积中难以实现均匀的电流分散，由此发光效率也减少。

为了高功率而以大面积的方式实现发光装置的情况下，提供如指(finger)状的电极结构，并以遍及整个发光面积的方式实现均匀的电流分散。但是，这种情况下，有可能因指状物而限制光提取，或引起基于电极的光吸收，从而减少发光效率。

与本发明相关的现有文献有韩国公开特许公报第10-0665302号(2007年01月04日公告)，在上述现有文献中公开了阵列有多个发光单体的倒装芯片型发光器件。

发明内容

本发明要解决的技术问题

本发明的目的在于，提供节减工序费用且可呈现优秀的电流分散效果的发光器件及其制备方法。

技术方案

用于实现上述一个目的的本发明实施例的发光器件，其特征在于，包括：发光结构体，形成于基板上，上述发光结构体包括第一半导体层、活性层及第二半导体层，直到上述第二半导体层及上述活性层形成有多个沟槽；第一电极，与上述发光结构体的第二半导体层相接触；以及第二电极，沿着上述基板的至少一个边缘与上述第一半导体层相接触。

此时，上述第二电极的一部分或全部可由与上述第一电极的一部分或全部相同的结构体形成。

用于实现上述另一目的的本发明实施例的发光器件的制备方法，其特征在于，包括：在基板上形成包括第一半导体层、活性层及第二半导体层的发光结构体的步骤；至少对上述第二半导体层及活性层进行刻蚀来形成多个沟槽的步骤；以及在上述第二半导体层上形成第一电极，并在上述第一半导体层上沿着上述基板的至少一个边缘由与上述第一电极的一部分或全部相同的结构体形成第二电极的一部分或全部的步骤。

有益效果

在本发明的发光器件中，沿着基板的至少一个边缘形成的电极与下部半导体层电连接，从而可相对地增大电流分散效率，由此提高发光效率。

并且，根据本发明，通过同期工序由与上部半导体层相接触的电极的一部分或整体相同的结构体形成与下部半导体层相接触的电极，从而可在节减工序费用的情况下制备发光器件。

附图说明

图1为示出本发明实施例的发光器件的俯视图。

图2为按A-A’线截取图1并放大的剖视图。

图3为按B-B’线截取图1并放大的剖视图。

具体实施方式

参照附图详细后述的实施例可明确本发明的优点、特征以及实现这些优点及特征的方法。但本发明并不局限于以下所公开的实施例，能够以互不相同的多种形态实现，本实施例只用于使本发明的公开内容更加完整，可使本发明所属技术领域的普通技术人员完整地理解发明的范畴，本发明仅由发明要求保护范围来定义。在说明书全文中相同的附图标记指相同的结构要素。

以下，参照附图对本发明实施例的节减工序费用且可呈现优秀的电流分散效果的发光器件及其制备方法进行详细说明。

图1为示出本发明实施例的发光器件的俯视图，图2为按A-A’线截取图1并放大的剖视图，图3为按B-B’线截取图1并放大的剖视图。

参照图1至图3，示出的发光器件包括基板110、发光结构体120、第一电极130及第二电极140。并且，本发明的发光器件还可包括金属保护层150、绝缘层160、第一凸点(Bump)170及第二凸点180。