[发明专利]氧化物半导体薄膜及其制造方法以及薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201380060993.5 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104798205A | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 中山德行 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C23C14/08;C23C14/58;H01L21/336;H01L21/363;H01L29/24 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔香丹;李英艳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜 及其 制造 方法 以及 薄膜晶体管 | ||
1.一种氧化物半导体薄膜，其特征在于，
所述氧化物半导体薄膜由含有铟和钛的氧化物构成，
并且，钛含量以Ti/In原子数比计为0.005～0.12，
并且，所述氧化物半导体薄膜是结晶质的薄膜且仅由方铁锰矿型结构的In2O3相构成，
并且，载流子浓度为1×1019cm-3以下，载流子迁移率为1cm2/Vsec以上。
2.如权利要求1所述的氧化物半导体薄膜，其中，所述钛含量以Ti/In原子数比计为0.01～0.06。
3.如权利要求1或2所述的氧化物半导体薄膜，其中，所述载流子迁移率为3cm2/Vsec以上。
4.如权利要求1或2所述的氧化物半导体薄膜，其中，所述载流子浓度为5×1017cm-3以下，且所述载流子迁移率为5cm2/Vsec以上。
5.如权利要求1～4中任一项所述的氧化物半导体薄膜，其中，所述氧化物半导体薄膜的膜厚为15nm～200nm。
6.如权利要求1～4中任一项所述的氧化物半导体薄膜，其中，所述氧化物半导体薄膜的膜厚为40nm～100nm。
7.如权利要求1～6中任一项所述的氧化物半导体薄膜，其中，所述In2O3相的结晶粒径为10nm以上。
8.一种薄膜晶体管，具有源极电极、漏极电极、栅极电极、信道层以及栅极绝缘膜，其中，所述信道层由权利要求1～7中任一项所述的氧化物半导体薄膜构成。
9.一种氧化物半导体薄膜的制造方法，其中，对由含有铟和钛的氧化物构成且钛含量以Ti/In原子数比计为0.005～0.12的非晶质的氧化物半导体薄膜，以250℃以上的加热温度以及1分钟～120分钟的处理时间实施退火处理，由此获得结晶质的仅由方铁锰矿型结构的In2O3相构成且载流子浓度为1×1019cm-3以下，载流子迁移率为1cm2/Vsec以上的氧化物半导体薄膜。
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