[发明专利]MEMS压力传感器组件在审

专利信息
申请号: 201380060838.3 申请日: 2013-10-01
公开(公告)号: CN105102952A 公开(公告)日: 2015-11-25
发明(设计)人: A·L·费伊;G·奥布赖恩 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司;A·L·费伊;G·奥布赖恩
主分类号: G01L9/00 分类号: G01L9/00;G01L19/00;G01L19/14;H01L23/52
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 郭毅
地址: 德国斯*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: mems 压力传感器 组件
【权利要求书】:

1.一种压力传感器组件,其包括:

第一管芯组件,所述第一管芯组件包括MEMS压力传感器;

第二管芯组件,所述第二管芯组件包括ASIC,所述ASIC构造用于产生对应于由所述MEMS压力传感器感测的压力的电输出;和

导电构件,所述导电构件定位在所述第一管芯组件与所述第二管芯组件之间并且构造用于将所述MEMS压力传感器电连接到所述ASIC。

2.根据权利要求1所述的压力传感器组件,其中,所述MEMS压力传感器包括电容式压力传感器。

3.根据权利要求2所述的压力传感器组件,其中,所述电容式压力传感器包括外延硅膜片。

4.根据权利要求1所述的压力传感器组件,其中,所述第二管芯组件构造用于至衬底的裸-管芯连接。

5.根据权利要求1所述的压力传感器组件,其中:

所述压力传感器组件限定长度和宽度,

所述长度乘以所述宽度等于面积,并且

所述面积小于大约2平方毫米。

6.根据权利要求1所述的压力传感器组件,其中,腔限定在所述第一管芯组件与所述第二管芯组件之间。

7.根据权利要求6所述的压力传感器组件,其还包括:

键合构件,所述键合构件定位在所述第一管芯组件与所述第二管芯组件之间并且构造用于使所述第一管芯组件与所述第二管芯组件间隔开。

8.根据权利要求6所述的压力传感器组件,其中,所述腔暴露到大气。

9.根据权利要求1所述的压力传感器组件,其中,所述第二管芯组件限定多个硅过孔。

10.一种压力传感器组件,其包括:

第一管芯组件,所述第一管芯组件包括MEMS;和

第二管芯组件,所述第二管芯组件包括ASIC,所述ASIC构造用于产生对应于由所述MEMS压力传感器感测的压力的电输出;所述ASIC电连接到所述MEMS压力传感器,

其中,所述第一管芯组件以堆叠的构造附接到所述第二管芯组件。

11.根据权利要求10所述的压力传感器组件,其中,腔限定在所述第一管芯组件与所述第二管芯组件之间。

12.根据权利要求11所述的压力传感器组件,其还包括:

键合构件,所述键合构件定位在所述第一管芯组件与所述第二管芯组件之间并且构造用于使所述第一管芯组件与所述第二管芯组件间隔开。

13.根据权利要求11所述的压力传感器组件,其还包括:

导电构件,所述导电构件定位在所述第一管芯组件与所述第二管芯组件之间并且构造用于(i)将所述MEMS压力传感器电连接到所述ASIC以及(ii)使所述第一管芯组件与所述第二管芯组件间隔开。

14.根据权利要求13所述的压力传感器组件,其中,所述导电构件借助焊料将所述MEMS压力传感器电连接到所述ASIC。

15.根据权利要求11所述的压力传感器组件,其中,所述腔暴露到大气。

16.根据权利要求10所述的压力传感器组件,其中,所述MEMS压力传感器包括电容式压力传感器。

17.根据权利要求16所述的压力传感器组件,其中,所述电容式压力传感器包括外延硅膜片。

18.根据权利要求10所述的压力传感器组件,其中,所述第二管芯组件构造用于至衬底的裸-管芯连接。

19.根据权利要求10所述的压力传感器组件,其中:

所述压力传感器组件限定长度和宽度,

所述长度乘以所述宽度等于面积,并且

所述面积小于大约2平方毫米。

20.根据权利要求10所述的压力传感器组件,其中,所述第二管芯组件限定多个硅过孔。

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