[发明专利]共享变压器中的端口隔离有效
申请号: | 201380059906.4 | 申请日: | 2013-11-19 |
公开(公告)号: | CN104798149B | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | O·M·乔克斯;H·卡特里;F·萨波里;W·卓 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01F29/00 | 分类号: | H01F29/00;H04B1/18 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 袁逸 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 初级线圈 变压器 次级线圈 耦合到 参考电压 开关断开 互耦 操作模式 端口隔离 接地电压 共享 加载 替换 期望 | ||
1.一种电子电路系统,包括:
初级线圈,其包括连接到AC接地节点的第一和第二部分;
次级线圈,其互耦到所述初级线圈;
第一模式电路系统,其耦合到所述第一部分;
第二模式电路系统,其耦合到所述第二部分;以及
与所述第一部分和所述AC接地节点串联耦合的第一开关,其中所述第一开关配置成在所述第一模式电路系统处于活跃时闭合。
2.如权利要求1所述的电子电路系统,其特征在于,进一步包括耦合到所述次级线圈的电路系统,其配置成处理与所述第一模式电路系统和所述第二模式电路系统相关联的信号。
3.如权利要求2所述的电子电路系统,其特征在于,所述第一模式电路系统包括配置成放大第一频带内的信号的低噪声放大器,所述第二模式电路系统包括配置成放大第二频带内的信号的低噪声放大器,并且耦合到所述次级线圈的所述电路系统包括下变频混频器。
4.如权利要求2所述的电子电路系统,其特征在于,所述第一模式电路系统包括配置成发射在第一频带内的信号的激励放大器,所述第二模式电路系统包括配置成发射在第二频带内的信号的激励放大器,并且耦合到所述次级线圈的所述电路系统包括上变频混频器。
5.如权利要求1所述的电子电路系统,其特征在于,进一步包括:
将所述第二初级线圈耦合到所述AC接地节点的第二开关,其中所述第二开关配置成在所述第二模式电路系统处于活跃时闭合。
6.如权利要求1所述的电子电路系统,其特征在于,进一步包括耦合到所述AC接地节点的第三线圈,其中所述次级线圈进一步互耦到所述第三线圈。
7.如权利要求2所述的电子电路系统,其特征在于,进一步包括将所述第二部分耦合到所述AC接地节点的辅助第二部分。
8.如权利要求2所述的电子电路系统,其特征在于,耦合到所述次级线圈的所述电路系统包括具有差分输入的低噪声放大器。
9.如权利要求8所述的电子电路系统,其特征在于,所述第一模式电路系统包括用于使第一频带通行的滤波器,所述第二模式电路系统包括用于使第二频带通行的滤波器。
10.如权利要求8所述的电子电路系统,其特征在于,所述第一模式电路系统包括用于使第一频带通行的匹配网络,所述第二模式电路系统包括用于使第二频带通行的匹配网络。
11.一种电子电路系统,包括:
第一初级线圈,其耦合到辅助中间节点;
第二初级线圈,其耦合到所述辅助中间节点并进一步耦合到AC接地节点;
次级线圈,其互耦到所述第一和第二初级线圈;
第一模式电路系统,其耦合到所述第一初级线圈;
第二模式电路系统,其耦合到所述第二初级线圈;以及
耦合到所述次级线圈的电路系统,其配置成处理与所述第一模式电路系统和所述第二模式电路系统相关联的信号。
12.如权利要求11所述的电子电路系统,其特征在于,所述第一模式电路系统包括配置成放大第一频带内的信号的低噪声放大器,所述第二模式电路系统包括配置成放大第二频带内的信号的低噪声放大器,并且耦合到所述次级线圈的所述电路系统包括下变频混频器。
13.如权利要求11所述的电子电路系统,其特征在于,所述第一模式电路系统包括配置成发射在第一频带内的信号的激励放大器,所述第二模式电路系统包括配置成发射在第二频带内的信号的激励放大器,并且耦合到所述次级线圈的所述电路系统包括上变频混频器。
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