[发明专利]硬掩膜组合物、用于其的单体及使用其形成图案的方法

权利要求书

1.一种用于硬掩膜组合物的单体，以下列化学式1表示：

[化学式1]

其中，在上述化学式1中，

A为经取代或未经取代的C6至C60的芳香族环基，

A’为经取代或未经取代的蒄基、经取代的芘基或其组合，

其条件为当A'为经取代之芘基时，A'的至少一氢原子被羟基取代，

X为氧原子，

L为双键，

L'为单键，或经取代或未经取代的C1至C6的亚烷基，以及

n为1至3的整数。

2.根据权利要求1所述的用于硬掩膜组合物的单体，其中所述单体是以下列化学式1-1a、1-2a、1-2b或1-3a表示：

[化学式1-1a]

[化学式1-2a]

[化学式1-2b]

[化学式1-3a]

3.根据权利要求1所述的用于硬掩膜组合物的单体，其中所述单体的分子量为300至3000。

4.一种硬掩膜组合物，包括：

根据权利要求1至3中的任一项所述的单体；以及

溶剂。

5.根据权利要求4所述的硬掩膜组合物，其中基于硬掩膜组合物的总量，所述单体的含量为1重量％至30重量％。

6.一种图案形成方法，包括：

在基底上提供材料层；

将根据权利要求4所述的硬掩膜组合物涂布于所述材料层上；

热处理所述硬掩膜组合物以形成硬掩膜层；

于所述硬掩膜层上形成含硅薄膜；

于所述含硅薄膜上形成光阻层；

对所述光阻层进行曝光与显影以形成光阻图案；

利用所述光阻图案选择性移除所述含硅薄膜以及所述硬掩膜层，以裸露出部分所述材料层；以及

对所述材料层裸露出的部分进行蚀刻。

7.根据权利要求6所述的图案形成方法，其中使用旋转涂布法来涂布所述硬掩膜组合物。

8.根据权利要求6所述的图案形成方法，其中形成硬掩膜层的工艺包括在100℃至500℃进行热处理。