[发明专利]半导体芯片的制造方法及使用于该方法的薄膜研磨用表面保护带

权利要求书

1.一种半导体芯片的制造方法，对于形成有半导体电路的半导体晶片，在具有凸块作为电极的附有凸块的晶片内形成改质层后，研磨该半导体晶片的背面，并成批分割成各个芯片，其特征在于，所述制造方法具有如下工序：

在形成该改质层后且研磨该半导体晶片的背面之前，将基材膜上具有黏着剂层的黏着带的黏着剂层上层积有粘接膜的薄膜研磨用表面保护带，以该粘接膜侧贴附于半导体晶片的形成有半导体电路的那侧；和

在研磨该半导体晶片的背面后进行拾取时或者转印至拾取用的带时，设置成仅该粘接膜粘接于芯片的状态。

2.如权利要求1中所述的半导体芯片的制造方法，其中，所述设置成仅该粘接膜粘接于芯片的状态的工序是不使用转印膜而直接自该表面保护带进行拾取的工序。

3.如权利要求1或2中所述的半导体芯片的制造方法，其包含如下工序：通过对所述薄膜研磨用表面保护带进行扩展，将所述粘接膜与芯片同时分割。

4.如权利要求1或2中所述的半导体芯片的制造方法，其中，利用所述半导体晶片的背面研磨进行芯片的成批截断之后，利用激光仅对所述薄膜研磨用表面保护带的所述粘接膜进行分割。

5.一种薄膜研磨用表面保护带，其是在基材膜上具有黏着剂层的黏着带的黏着剂层上层积粘接膜而成的，其特征在于：

所述粘接膜由含有选自由(甲基)丙烯酸系共聚物及苯氧基树脂组成的组中至少1种作为粘接剂的单一层或2层以上的层构成，其于250℃的弹性模量为10MPa以下，饱和吸湿率为1.5体积％以下。

6.如权利要求5中所述的薄膜研磨用表面保护带，其中，所述黏着剂层为紫外线固化型。

7.如权利要求5或6中所述的薄膜研磨用表面保护带，其中，所述黏着剂层以(甲基)丙烯酸系共聚物为主成分，凝胶分率为80％以上。

8.如权利要求5至7中任一项所述的薄膜研磨用表面保护带，其中，所述粘接膜的表面自由能为25～45mN/m，饱和吸湿率为1.5体积％以下。

9.如权利要求5至8中任一项所述的薄膜研磨用表面保护带，其中，所述粘接膜含有环氧树脂，该环氧树脂为选自由缩水甘油醚环氧树脂、缩水甘油胺环氧树脂、缩水甘油酯环氧树脂及脂环式环氧树脂组成的组中的至少1种树脂。

10.如权利要求5至9中任一项所述的薄膜研磨用表面保护带，其中，所述粘接膜含有双酚系树脂。

11.如权利要求10中所述的薄膜研磨用表面保护带，其中，所述双酚系树脂为选自由双酚F二缩水甘油醚树脂及双酚A二缩水甘油醚树脂组成的组中的至少1种。

12.如权利要求5至11中任一项所述的薄膜研磨用表面保护带，其中，所述粘接膜含有无机填料，相对于该粘接膜中的树脂成分100质量份，其含量小于60质量份。

13.如权利要求5至12中任一项所述的薄膜研磨用表面保护带，其中，所述粘接膜含有显示出助焊剂活性且具有与异氰酸酯固化剂或环氧系固化剂交联的官能团的化合物。