[发明专利]用于探测器晶体的子带红外辐照

权利要求书

1.一种辐射探测器，包括：

a)直接转换半导体层(60)，其用于将入射辐射转换为电信号；

b)包括读出电子器件的基板，所述读出电子器件用于经由被布置在所述直接转换半导体层(60)处的像素盘(20)来接收所述电信号；以及

c)多个红外辐射源(30、32)，其被连接或集成到所述基板，并且适于辐照所述直接转换半导体层(60)；

所述辐射探测器的特征在于：

d)所述多个红外辐射源(30；32)被提供在红外源层(10)上，所述红外源层被内插在所述直接转换半导体层(60)与所述基板的读出芯片(50)之间，并且所述红外源层经由所述像素盘(20)被以倒装芯片的方式键合到所述直接转换半导体层(60)，其中，所述红外源层包括用于将所述像素盘(20)电连接到所述读出芯片(50)上的相关接触部分的穿过连接部分(40)。

2.根据权利要求1所述的辐射探测器，其中，所述多个红外辐射源(30、32)适于利用子带红外辐射来辐照所述直接转换半导体层(60)，所述子带红外辐射具有小于所述直接转换半导体层(60)的带隙的光子能量。

3.根据权利要求1所述的辐射探测器，其中，所述多个红外辐射源(30、32)中的每个被布置在所述像素盘(20)的间隙部分处。

4.根据权利要求2所述的辐射探测器，其中，所述多个红外辐射源包括多个组，每个组包括具有所述子带红外辐射的不同波长的红外辐射源(32)。

5.根据权利要求4所述的辐射探测器，其中，所述多个组中的一组中的每个红外辐射源(32)被布置在所述直接转换半导体层(60)的各自的像素盘(20)的不同角处。

6.根据权利要求1所述的辐射探测器，其中，所述多个红外辐射源(30、32)被布置为从阳极侧辐照所述直接转换半导体层(60)。

7.根据权利要求1所述的辐射探测器，其中，所述多个红外辐射源(30、32)中的每个被分配到所述辐射探测器的像素的子集。

8.根据权利要求1所述的辐射探测器，其中，所述直接转换半导体层(60)是由Cd[Zn]Te晶体制成的。

9.一种制造辐射探测器的方法，所述方法包括：

a)将多个像素盘(20)布置在用于将入射辐射转换为电信号的直接转换半导体层(60)上；

b)将用于接收所述电信号的读出芯片(50)连接到所述像素盘(20)；并且

c)将多个红外辐射源(30、32)连接或集成到所述读出芯片(50)；

所述方法的特征在于：

将具有所述多个红外辐射源(30、32)的红外源层(10)内插在所述直接转换半导体层(60)与所述读出芯片(50)之间并且经由所述像素盘(20)将所述多个红外辐射源(30、32)以倒装芯片的方式键合到所述直接转换半导体层(60)，

其中，所述红外源层包括用于将所述像素盘(20)电连接到所述读出芯片(50)上的相关接触部分的穿过连接部分(40)。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括使用所述红外源层作为内插器，以在将所述红外源层安装到所述读出芯片(50)之前测试所述直接转换半导体层(60)。