[发明专利]聚吡咯烷酮抛光组合物和方法有效

专利信息
申请号: 201380057978.5 申请日: 2013-09-04
公开(公告)号: CN104781365A 公开(公告)日: 2015-07-15
发明(设计)人: N.纳古布桑特 申请(专利权)人: 嘉柏微电子材料股份公司
主分类号: C09K3/14 分类号: C09K3/14;H01L21/304
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 宋莉;王华芹
地址: 美国伊*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 吡咯烷酮 抛光 组合 方法
【权利要求书】:

1.抛光组合物,其包含:

(a)0.01重量%至0.1重量%的吡咯烷酮聚合物;

(b)0.05重量%至2重量%的氨基膦酸;

(c)0.01重量%至5重量%的四烷基铵盐;和

(d)水,

其中所述组合物具有7至11.7的pH。

2.权利要求1的抛光组合物,其进一步包含0.05重量%至2重量%的速率促进剂。

3.权利要求1的抛光组合物,其进一步包含0.01重量%至40重量%的二氧化硅颗粒。

4.权利要求1的抛光组合物,其中所述组合物不含研磨剂。

5.权利要求1的抛光组合物,其中所述组合物不含硅的氧化剂。

6.抛光组合物,其基本上由以下物质组成:

(a)0.01重量%至0.1重量%的吡咯烷酮聚合物;

(b)0.05重量%至2重量%的氨基膦酸;

(c)0.01重量%至5重量%的四烷基铵盐;

(d)任选的0.05重量%至2重量%的速率促进剂;

(e)任选的pH调节剂;

(f)任选的碳酸氢盐;和

(g)水,

其中所述组合物具有7至11.7的pH。

7.权利要求6的抛光组合物,其中所述速率促进剂包括氧肟酸。

8.权利要求7的抛光组合物,其中所述速率促进剂包括乙酰氧肟酸。

9.权利要求6的抛光组合物,其中所述速率促进剂包括含氮杂环化合物。

10.权利要求9的抛光组合物,其中所述含氮杂环化合物包括三唑。

11.权利要求6的抛光组合物,其中所述吡咯烷酮聚合物包括聚乙烯基吡咯烷酮。

12.权利要求6的抛光组合物,其中所述吡咯烷酮聚合物包括聚(1-乙烯基吡咯烷酮-共-甲基丙烯酸2-二甲氨基乙酯)。

13.权利要求6的抛光组合物,其中所述氨基膦酸包括氨基三亚甲基膦酸。

14.权利要求6的抛光组合物,其中所述四烷基铵盐包括氢氧化四甲基铵。

15.抛光基材的方法,所述方法包括:

(i)使基材与抛光垫和权利要求6的抛光组合物接触;

(ii)使所述抛光垫相对于所述基材移动,其间具有所述抛光组合物;和

(iii)磨除所述基材的至少一部分以抛光所述基材。

16.权利要求15的方法,其中所述基材为硅晶片。

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