[发明专利]配备有微电极的电解槽

权利要求书

1.用于产生未分离的阳极产物和阴极产物的电解槽，由可光刻图案的具有表面的衬底组成，多个阳极微电极和阴极微电极在所述表面上形成，所述阴极微电极和阳极微电极以小于100微米的电极间间隙彼此插入并且具有小于0.05μm的平均表面粗糙度Ra。

2.根据权利要求1所述的电解槽，其中所述平均表面粗糙度Ra小于0.01μm。

3.根据权利要求1或2所述的电解槽，其中至少所述阳极微电极包含外层，该外层由真空沉积的硼掺杂的金刚石膜组成。

4.根据权利要求1或2所述的电解槽，其中所述微电极包含外层，该外层由含有至少一种选自Pt、Pd、Ir、Ru、Rh、Nb和Ti中的元素的材料制成。

5.根据上述权利要求中的一项所述的电解槽，其中所述可光刻图案的衬底由半导体材料制成。

6.根据权利要求4所述的电解槽，其包含置于所述外层和所述可光刻图案的衬底之间的金属材料中间层，该金属材料选自Co、Cr、Mo、W、Ni、Ti和其合金。

7.根据权利要求3所述的电解槽，其中所述外层由硼掺杂的金刚石膜组成，该金刚石膜含有至少5000ppm的硼掺杂。

8.电解槽的制造方法，包括下述步骤：

－提供衬底，该衬底具有根据通过光刻技术的预定图案的指状物；

－通过气相物理或化学沉积技术采用选自Co、Cr、Mo、W、Ni、Ti和其合金的金属的层涂覆所述指状物；

－通过气相物理或化学沉积技术在所述金属涂覆的指状物上施加外电极层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述外电极层包含一种材料，该材料含有至少一种选自Pt、Pd、Ir、Ru、Rh、Nb和Ti的元素。

10.电解槽的制造方法，包括下述步骤：

－提供可光刻图案、顶部有SiO₂层的衬底；

－通过微波辅助的化学气相沉积采用硼掺杂的金刚石膜涂覆所述衬底。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的方法，其中所述光刻技术是MEMS光学光刻法、MEMS激光学光刻蚀或二者的组合。

12.可变组成的混合氧化剂溶液的制造方法，包括利用集成于根据权利要求1至7中任一项所述的槽的微处理器以可变的电流密度程序化施加直流电。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述混合氧化剂溶液包含至少一种选自臭氧、氧自由基、初生氧、过氧化物、次氯酸根离子和初生氯的物质。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其中采用受有机物质污染的水性电解质供应给所述槽。

15.用于分配杀菌、消毒或清洁剂物质的装置，配备有至少一个根据权利要求1至7中任一项所述的槽。