[发明专利]光电子半导体构件有效

申请号：	201380057054.5	申请日：	2013-08-28
公开（公告）号：	CN104737314B	公开（公告）日：	2017-05-17
发明（设计）人：	S.伊莱克;M.萨巴蒂尔;T.施瓦茨;W.维格莱特	申请（专利权）人：	奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号：	H01L33/62	分类号：	H01L33/62
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司72001	代理人：	卢江,刘春元
地址：	德国雷***	国省代码：	暂无信息
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	光电子半导体构件
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.光电子半导体构件（10，20，30，40），所述光电子半导体构件具有光电子半导体芯片（100，300，500），

其中所述半导体芯片（100，300，500）嵌入到具有上侧（191，231，391，591）和下侧（192，232，392，592）的电绝缘的模制体（190，230，390，590）中，

其中通孔接触部（170，370，380，570）嵌入到所述模制体（190，230，390，590）中，所述通孔接触部形成所述模制体（190，230，390，590）的上侧（191，231，391，591）和下侧（192，232，392，592）之间的导电连接，

其中在所述模制体（190，230，390，590）的上侧（191，231，391，591）上布置有反射层（210，250，410，610），

其中所述反射层（210，410，610）的第一部段（212，412，413，414，612）与所述反射层（210，410，610）的第二部段（211，411，611）电绝缘，

所述第一部段（212，412，413，414，612）形成所述半导体芯片（100，300，500）的电接触部（141，321，341，521）和所述通孔接触部（170，370，380，570）之间的导电连接，

其中在所述半导体芯片（100，300，500）的电接触部（141，321，341，521）和所述通孔接触部（170，370，380，570）之间的导电连接的区域中，在所述模制体（190，390，590）的上侧（191，391，591）和所述反射层（210，410，610）之间布置有电介质（200，400，600），

其中所述反射层（210，250，410，610）覆盖所述模制体（190，230，390，590）的上侧（191，231，391，591）的至少50%，

其中所述光电子半导体构件（10，20，30，40）的电接触面（121，172，372，382，541，572）在所述模制体（190，230，390，590）的下侧（192，232，392，592）上是可接近的。

2.根据权利要求1所述的光电子半导体构件（10，20，30，40），

其中所述半导体芯片（100，300，500）的上侧（161，361，561）与所述模制体（190，230，390，590）的上侧（191，231，391，591）以相同的方向定向，

其中所述半导体芯片（100，300，500）的上侧（161，361，561）是所述半导体芯片（100，300，500）的辐射出射面，

其中所述半导体芯片（100，300，500）的上侧（161，361，561）的至少一部分既不通过所述模制体（190，230，390，590）、又不通过所述反射层（210，250，410，610）覆盖。

3.根据权利要求1或2所述的光电子半导体构件（10，30，40），

其中所述电介质（200，400，600）具有苯并环丁烯。

4.根据权利要求1或2所述的光电子半导体构件（10，30，40），

其中所述电介质（200，400，600）具有在50nm和500nm之间的厚度。

5.根据权利要求1或2所述的光电子半导体构件（10，20，30，40），

其中所述反射层（210，250，410，610）具有银或铝。