[发明专利]柱形超导磁体在审
申请号: | 201380057042.2 | 申请日: | 2013-11-11 |
公开(公告)号: | CN104781684A | 公开(公告)日: | 2015-07-15 |
发明(设计)人: | G.赫顿 | 申请(专利权)人: | 英国西门子公司 |
主分类号: | G01R33/3815 | 分类号: | G01R33/3815;H01F6/06;H01F6/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 曲莹 |
地址: | 英国萨里*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超导 磁体 | ||
1.一种柱形超导磁体结构(24),包括相应地由间隔件线圈(16)轴向间隔开的两个超导主线圈(10),所述主线圈和所述间隔件线圈在单个自支撑结构中结合在一起。
2.如权利要求1所述的柱形超导磁体结构(24),其中,所述间隔件线圈由超导线形成,并布置成在与所述主线圈传导的电流相反的方向上传导电流。
3.如权利要求1所述的柱形超导磁体结构(24),其中,所述间隔件线圈由抵抗线形成,并存在于对应于每个主线圈的径向中点的径向位置处。
4.如权利要求3所述的柱形超导磁体结构(24),其中,所述间隔件线圈电连接到失超传播电路。
5.如权利要求3所述的柱形超导磁体结构(24),其中,所述间隔件线圈电连接为闭环。
6.如权利要求1或3所述的柱形超导磁体结构(24),其中,所述间隔件线圈的端部未电连接。
7.如权利要求1或2所述的柱形超导磁体结构(24),其中,所述间隔件线圈由超导线形成,并布置成与所述主线圈传导的电流密度相比,传导具有更低电流密度的电流。
8.如前述权利要求任一项所述的柱形超导磁体结构,其中,所述间隔件线圈的内径基本上等于所述主线圈的至少一个的内径。
9.如权利要求8所述的柱形超导磁体结构,其中,所述间隔件线圈的内径等于所述主线圈的至少一个的内径。
10.如前述权利要求任一项所述的柱形超导磁体结构,其中,所述间隔件线圈的外径基本上等于所述主线圈的至少一个的外径。
11.如权利要求10所述的柱形超导磁体结构,其中,所述间隔件线圈的外径等于所述主线圈的至少一个的外径。
12.如前述权利要求任一项所述的柱形超导磁体结构,其中,所述主线圈和所述间隔件线圈在单个树脂浸渍步骤中整体结合在一起。
13.如权利要求1-11任一项所述的柱形超导磁体结构,其中,所述线圈在第一树脂浸渍步骤中分离地形成,然后在模具中组装在一起,并在第二树脂浸渍步骤中由树脂浸渍,以形成整体结构。
14.如前述权利要求任一项所述的柱形超导磁体结构,其中,所述间隔件线圈和所述主线圈具有相同类型的线。
15.如前述权利要求任一项所述的柱形超导磁体结构,其中,所述间隔件线圈和所述主线圈具有相同的匝密度。
16.如前述权利要求任一项所述的柱形超导磁体结构,其中,轴向范围b小于所述间隔件线圈的轴向范围的的绝缘间隔件(19)设置在间隔件线圈和邻近的主线圈之间。
17.一种磁体结构,包括:
-如前述权利要求任一项所述的柱形超导磁体结构(24);以及
-分离地形成的环形端线圈(22),附接到所述柱形超导磁体结构的轴向末端。
18.如权利要求17所述的柱形超导磁体结构,其中,所述端线圈(22)的径向范围a大于柱形超导磁体结构(24)的线圈。
19.如权利要求17或18所述的柱形超导磁体结构,其中,非导电间隔件(26)设置成相对于所述柱形超导磁体结构(24)将所述端线圈(22)安置在正确位置。
20.如权利要求17或18所述的柱形超导磁体结构,其中,间隔件线圈(26)设置在整体结构(24)的轴向末端,以相对于所述柱形超导磁体结构(24)将所述端线圈(22)安置在正确位置。
21.如权利要求2或7所述的柱形超导磁体结构,其中,所述间隔件线圈与所述主线圈串联电连接。
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