[发明专利]导电膏组合物及由其制成的半导体器件

权利要求书

1.糊料组合物，包含：

(a)导电金属源；

(b)Ti-Te-Li氧化物；和

(c)有机载体，所述导电金属源和所述Ti-Te-Li氧化物分散在所述有机载体中，

其中钛、碲和锂阳离子一起构成氧化物中存在的至少70％的阳离子，并且其中钛、碲和锂阳离子的最小含量分别为至少2、30和18阳离子％，其中Ti-Te-Li氧化物中Bi₂O₃的含量为0-10阳离子％，且所述糊料组合物是无铅的。

2.根据权利要求1所述的糊料组合物，其中Ti、Te和Li阳离子占所述Ti-Te-Li氧化物的75至95阳离子百分比。

3.根据权利要求1所述的糊料组合物，其中所述Ti-Te-Li氧化物还掺入了至少一种选自下列的氧化物：B、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Cr、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Zr、Nb、Si、Mo、Hf、Ag、Ga、Ge、In、Sn、Sb、Se、Ru、Bi、P、Y、La以及其它镧系元素的氧化物、以及它们的混合物。

4.根据权利要求1所述的糊料组合物，所述糊料组合物还包含离散的氧化物添加剂，所述添加剂为至少一种选自下列的氧化物：B、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Cr、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Zr、Nb、Si、Mo、Hf、Ag、Ga、Ge、In、Sn、Sb、Se、Ru、Bi、P、Y、La以及其它镧系元素中的一种或多种的氧化物、以及它们的混合物，或者所述添加剂为在加热时形成此类氧化物的物质。

5.根据权利要求1所述的糊料组合物，其中所述导电金属源包括Ag。

6.用于在基板上形成导电结构的方法，所述方法包括：

(a)提供具有第一主表面的基板；

(b)将糊料组合物施涂在所述第一主表面的预先选定的部分上，其中所述糊料组合物包含以下成分的掺加物：

i)导电金属源，

ii)Ti-Te-Li氧化物，和

iii)有机载体，所述导电金属源和所述Ti-Te-Li氧化物分散在所述有机载体中；以及

(c)焙烧所述基板和在所述基板上的糊料组合物，由此在所述基板上形成导电结构，

其中钛、碲和锂阳离子一起构成氧化物中存在的至少70％的阳离子，并且其中钛、碲和锂阳离子的最小含量分别为至少2、30和18阳离子％，其中Ti-Te-Li氧化物中Bi₂O₃的含量为0-10阳离子％，且所述糊料组合物是无铅的。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述基板包括存在于至少所述第一主表面上的绝缘层，并且将所述糊料组合物施涂在所述第一主表面的所述绝缘层上，并且其中所述绝缘层为由氧化铝、氧化钛、氮化硅、SiN_x:H、氧化硅或氧化硅/氧化钛构成的至少一层，并且其中在所述焙烧期间所述绝缘层被穿透并且所述导电金属被烧结，由此在所述导电金属与所述基板之间形成电接触。

8.半导体器件，所述半导体器件包括基板和在所述基板上的导电结构，所述半导体器件通过权利要求6所述的方法形成。

9.光伏电池，所述光伏电池包括基板和在所述基板上的导电结构，所述光伏电池通过权利要求6所述的方法形成。