[发明专利]含有非金属催化剂的低K介电溶胶的组合物在审
申请号: | 201380056715.2 | 申请日: | 2013-10-31 |
公开(公告)号: | CN104823265A | 公开(公告)日: | 2015-08-05 |
发明(设计)人: | 马克·L.F.·菲利普斯;特拉维斯·萨维奇 | 申请(专利权)人: | SBA材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/208 | 分类号: | H01L21/208 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 洪俊梅;张淑珍 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 含有 非金属 催化剂 溶胶 组合 | ||
1.一种用于生产多孔低k介电材料的溶胶组合物,其包含:
至少一种硅酸酯,
极性溶剂,
水,
用于硅酸酯水解的酸催化剂,
两亲性嵌段共聚物表面活性剂,以及
降低所述所生产的材料的介电常数的非金属催化剂。
2.如权利要求1所述的组合物,其进一步包含百万分率浓度低于所述非金属催化剂的金属离子。
3.如权利要求1所述的组合物,其进一步包含共溶剂。
4.如权利要求1所述的组合物,其中所述非金属催化剂包含选自由B、C、N、O、H、Si、P以及其组合组成的群组的构成原子。
5.如权利要求4所述的组合物,其中所述非金属催化剂包含:与阴离子基团组合的季铵离子;或叔胺氧化物。
6.如权利要求5所述的组合物,其中所述与阴离子基团组合的季铵离子是甘氨酸、甜菜碱、精氨酸、赛氨林、1,3-二甲基咪唑2-羧酸盐或烟酸,并且所述叔胺氧化物是三甲胺N-氧化物(TMANO)、吡啶N-氧化物、4-氨基吡啶N-氧化物、喹啉N-氧化物或DABCO-DNODP。
7.如权利要求4所述的组合物,其中所述非金属催化剂包含:包含明显偶极子的中性分子;或包含键结至拉电子原子或基团的氮的中性分子。
8.如权利要求7所述的组合物,其中所述包含明显偶极子的中性分子是4-硝基苯胺、4-氨基苯甲腈、4-吡啶甲腈或米氏酮,并且所述包含键结至拉电子原子或基团的氮的中性分子是NH2CN(氰胺)、N(CN)2-(二氰胺)阴离子的盐、二硝酰胺铵(ADN)或氯胺-T。
9.如权利要求1所述的组合物,其中所述非金属催化剂包含阳离子。
10.如权利要求9所述的组合物,其中所述阳离子是稳定的碳阳离子。
11.如权利要求10所述的组合物,其中所述稳定的碳阳离子是结晶紫或孔雀石绿。
12.如权利要求1所述的组合物,其中所述非金属催化剂包含两性离子。
13.如权利要求12所述的组合物,其中所述两性离子是1,3二甲基咪唑-2-羧酸盐、甘氨酸甜菜碱、赛氨林、精氨酸或雷氏染料。
14.如权利要求1所述的组合物,其中所述非金属催化剂到至少130℃为止是稳定的。
15.如权利要求1所述的组合物,其中所述非金属催化剂的浓度介于1ppm至20,000ppm之间,或介于10ppm至2,000ppm之间。
16.如权利要求1所述的组合物,其中所述非金属催化剂在≥80℃的温度下在水和/或醇中是稳定的。
17.如权利要求1所述的组合物,其中所述非金属催化剂在有机硅酸酯存在下在溶液中是稳定的。
18.如权利要求1所述的组合物,其中所述至少一种硅酸酯是正硅酸四乙酯,所述极性溶剂是C1-4醇,并且所述两亲性嵌段共聚物表面活性剂是聚(氧化乙烯)-聚(氧化丙烯)-聚(氧化乙烯)聚合物。
19.如权利要求1所述的组合物,其中所述至少一种硅酸酯是:双(三乙氧基硅烷基)乙烷;1,1,2-三(三乙氧基硅烷基)乙烷;三(三乙氧基硅烷基)甲烷;TEOS;MTES;MBTE;或苯基三乙氧基硅烷(PTES);或其组合。
20.一种在基板上制备薄膜的方法,其包括
通过将如权利要求1所述的溶胶组合物沉积至基板上来处理所述基板;烘烤并退火所述经过处理的基板以形成膜。
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