[发明专利]带有温度调节布置的加工布置和加工基底的方法

权利要求书

1. 一种表现为温度调节布置的基底加工布置，其包括带有两个反射表面的热空腔，所述热空腔基本包括：

基座(19)，其带有延伸的、基本平面表面；

基本平面的加热元件(15)，其在平行且远离并面对所述基座(19)的表面的平面中安装在所述基座(19)上方；

基底支撑件(14)，构成为在其周边处承载基底(17)，所述基底(17)在操作期间与所述加热元件隔开但以其表面中的一个直接面对所述加热元件，

其中，

热反射表面或镜子(18)布置在所述基座(19)的表面上；

第二反射器件在所述基底支撑件(14)的另一侧上布置在平行于所述基底和加热元件的另一平面中，使得在操作期间，基底(17)以其表面中的另一个直接面对所述反射器件；

并且，不存在其它夹紧器件来在操作期间在基底支撑件(14)上将基底(17)保持在适当位置中。

2. 根据权利要求1所述的基底加工布置，其特征在于，热反射表面或镜子(18)包括安装至基座(19)的镍涂层或镍板。

3. 根据权利要求1和/或2所述的基底加工布置，其特征在于，所述第二反射器件是处理材料的源或物理气相沉积源的靶(11)。

4. 根据权利要求1和/或2所述的基底加工布置，其特征在于，所述第二反射器件是CVD或PECVD源的淋浴头或加工气体入口。

5. 根据权利要求1至4所述的基底加工布置，其特征在于，所述第二反射器件的材料包括Al、Ti、Ag、Ta、以及它们的合金和Ni。

6. 根据权利要求1至5所述的基底加工布置，其特征在于，在所述加热元件(15)的平面与在操作期间布置基底(17)的所述平面之间的所述距离量为5至20mm之间。

7. 根据权利要求1至6所述的基底加工布置，其特征在于，基底支撑件(14)设计为环形承载区域或者在所述基底的圆周处的选择性支撑件。

8. 根据权利要求1至7所述的基底加工布置，其特征在于，在操作期间所述基底(17)的平面与第二反射器件或靶(11)之间的靶-基底距离TSD分别选择为范围为从4至10cm。

9. 根据权利要求8所述的基底加工布置，其特征在于，所述TSD在5至8cm之间。

10. 根据权利要求1至9所述的基底加工布置，其特征在于布置在第二反射器件或靶(11)与基底支撑件(14)之间的屏蔽件(13)，所述屏蔽件(13)构成为在沉积于基底(17)上的层覆盖面对靶(11)的整个表面时，保护基底支撑件(14)不被处理材料覆盖。

11. 根据权利要求1至10所述的基底加工布置，其特征在于，加热元件(15)是电阻加热器。

12. 根据权利要求1至10所述的基底加工布置，其特征在于，加热元件(15)是辐射类型加热器。

13. 根据权利要求1至10所述的基底加工布置，其特征在于，加热元件(15)是碳加热器。

14. 根据权利要求13所述的基底加工布置，其特征在于，所述碳加热器具有带有放置在外面的电连接件的双螺旋结构。

15. 根据权利要求13和/或14所述的基底加工布置，其特征在于，所述电连接件布置在有效加热的基底区域外。

16. 一种在加工布置中处理基底的方法，包括：

将基底(17)放置在根据权利要求1所述的基底加工布置的基底支撑件(14)上；

将所述基底加热至预定的温度；

处理所述基底。