[发明专利]用于生物分子传感器以及其它应用的纳米级场效应晶体管

权利要求书

1.一种用于用作传感器的制品，包括：

场效应晶体管，包括源极、包括纳米级线的栅极、和漏极；

与所述源极电连通的第一周期性电压发生器；以及

与所述栅极电连接的第二周期性电压发生器。

2.根据权利要求1所述的制品，其中所述第一周期性电压发生器和第二周期性电压发生器各自产生相对于所述漏极的电压。

3.根据权利要求1-2中的任一项所述的制品，还包括与所述第一周期性电压发生器和所述第二周期性电压发生器电连通的混频器。

4.根据权利要求3所述的制品，还包括用于将由所述混频器产生的信号与所述漏极的电气性质相比较的锁定放大器。

5.根据权利要求4所述的制品，还包括设置在所述混频器与所述锁定放大器之间的低通滤波器。

6.根据权利要求1-2中的任一项所述的制品，其中所述纳米级线被包含在微流体通道内。

7.根据权利要求6所述的制品，其中所述微流体通道具有不超过2mm的最大截面尺寸。

8.根据权利要求1-2中的任一项所述的制品，其中所述纳米级线是扭曲的。

9.根据权利要求1-2中的任一项所述的制品，其中所述纳米级 线包括半导体。

10.根据权利要求1-2中的任一项所述的制品，其中所述纳米级线包括硅。

11.一种用于感测的方法，包括：

提供场效应晶体管，所述场效应晶体管包括源极、包括纳米级线的栅极、和漏极；

向所述源极施加具有第一频率的第一周期性电信号；以及

向所述栅极施加具有第二频率的第二周期性电信号，其中所述第二频率不同于所述第一频率。

12.根据权利要求11所述的方法，其中同时施加所述第一周期性电信号和所述第二周期性电信号。

13.根据权利要求11-12中的任一项所述的方法，其中所述第一周期性电信号和第二周期性电信号每一个都是电压。

14.根据权利要求13所述的方法，其中相对于所述漏极产生所述电压。

15.根据权利要求11-12中的任一项所述的方法，其中所述第一频率和所述第二频率相差不超过相对于所述第一频率和所述第二频率中的较大频率的10％。

16.根据权利要求11-12中的任一项所述的方法，其中所述第一频率和所述第二频率相差不超过相对于所述第一频率和所述第二频率中的较大频率的1％。

17.根据权利要求11-12中的任一项所述的方法，其中所述第一频率和所述第二频率相差不超过相对于所述第一频率和所述第二频率中的较大频率的0.1％。

18.根据权利要求11-12中的任一项所述的方法，其中所述第一频率和所述第二频率相差不超过10kHz。

19.根据权利要求11-12中的任一项所述的方法，其中所述第一频率和所述第二频率相差不超过1kHz。

20.根据权利要求11-12中的任一项所述的方法，其中所述第一频率和所述第二频率相差不超过100Hz。

21.根据权利要求11-12中的任一项所述的方法，还包括确定所述栅极的电气性质。

22.根据权利要求21所述的方法，其中所述电气性质是电导。

23.根据权利要求21所述的方法，其中所述电气性质是阻抗。

24.根据权利要求21所述的方法，还包括基于所述电气性质确定物质与所述纳米级线的相互作用。

25.根据权利要求24所述的方法，其中所述物质与所述纳米级线的所述相互作用引起所述纳米级线的电气性质中的能够确定的改变。

26.根据权利要求24所述的方法，其中所述物质与所述纳米级线的所述相互作用引起所述纳米级线的电导中的能够确定的改变。

27.根据权利要求24所述的方法，其中所述相互作用是结合相互作用。

28.根据权利要求27所述的方法，其中结合是特异性的。