[发明专利]用于硅酮中的量子点的基于PDMS的配体

权利要求书

1.一种用于产生波长转换器（100）的过程，所述波长转换器（100）包括具有嵌入其中的波长转换器纳米颗粒（120）的硅氧烷聚合物基质，所述过程包括：

（a）混合（i）包括（i1）短链硅氧烷聚合物和（i2）具有利用硅氧烷接枝配体接枝的外表面的波长转换器纳米颗粒的第一液体与（ii）可固化的硅氧烷聚合物，该短链硅氧烷聚合物和该可固化的硅氧烷聚合物均为非接枝配体，以及

（b）固化可固化的硅氧烷聚合物，从而产生波长转换器（100）；

- 其中短链硅氧烷聚合物具有s1个Si骨干元素，其中硅氧烷接枝配体包括具有x1个Si骨干元素的硅氧烷接枝配体，其中每个硅氧烷接枝配体的至少一个Si骨干元素包括具有接枝功能性的基团；并且其中可固化的硅氧烷聚合物具有y1个Si骨干元素；

- 其中x1/s1≥0.8，s1＜y1，并且其中x1＜y1。

2.根据权利要求1的过程，其中s1＜x1＜y1，其中s1为至少7，其中x1为至少20，并且其中y1为至少100。

3.根据权利要求1或2的过程，其中第一液体可以包括不大于2 wt.%的总量的一种或多种溶剂。

4.根据权利要求1或2的过程，其中所述过程还包括在混合第一液体与可固化的硅氧烷聚合物之前，移除来自第一液体的溶剂。

5.根据权利要求1或2的过程，其中可固化的硅氧烷聚合物包括以第一不饱和键氢化物基团摩尔比的含不饱和键的基团和氢化物基团，并且其中短链硅氧烷聚合物包括以第二不饱和键氢化物基团摩尔比的含不饱和键的基团和氢化物基团，其中第二不饱和键氢化物基团摩尔比在第一不饱和键氢化物基团摩尔比的50%-150%的范围中。

6.根据权利要求1或2的过程，其中短链硅氧烷聚合物的Si骨干元素的至少70%具有甲基侧基，其中硅氧烷接枝配体的Si骨干元素的至少90%具有甲基侧基，并且其中硅氧烷聚合物的Si骨干元素的至少90%具有甲基侧基。

7.根据权利要求1或2的过程，其中短链硅氧烷聚合物、硅氧烷接枝配体和可固化的硅氧烷聚合物是聚二甲基硅氧烷或聚二苯基硅氧烷或聚甲基苯基硅氧烷。

8.根据权利要求1或2的过程，其中具有接枝功能性的基选自包含以下各项的组：包括胺的侧基、包括羧酸盐的侧基、包括膦的侧基、包括氧化膦的侧基、包括磷酸盐的侧基和包括硫醇的侧基。

9.根据权利要求1或2的过程，其中波长转换器纳米颗粒（120）选自包含核-壳纳米颗粒的组，其中核和壳包括以下中的一个或多个：CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、GaN、 GaP、GaAs、AlN、 AlP、 AlAs、InN、 InP、InAs、GaNP、 GaNAs、 GaPAs、 AlNP、 AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、 InPAs、GaAlNP、GaAlNAs、 GaAlPAs、 GaInNP、 GaInNAs、 GaInPAs、 InAlNP、 InAlNAs和InAlPAs。

10.一种包括具有嵌入其中的波长转换器纳米颗粒（120）的硅氧烷聚合物基质的波长转换器（100），其中：

（a）波长转换器纳米颗粒具有利用硅氧烷接枝配体接枝的外表面，以及

（b）硅氧烷聚合物基质包括第一类型的硅氧烷聚合物和第二类型的硅氧烷聚合物，其中第二类型的硅氧烷聚合物的至少一部分交联，该第一类型的硅氧烷聚合物和第二类型的硅氧烷聚合物均为非接枝配体；

- 其中第一类型的硅氧烷聚合物包括具有s1个Si骨干元素的短链硅氧烷聚合物，其中硅氧烷接枝配体包括具有x1个Si骨干元素的硅氧烷接枝配体，其中第二类型的硅氧烷聚合物包括具有y1个Si骨干元素的硅氧烷聚合物；

- 其中x1/s1≥0.8，s1＜y1，并且其中x1＜y1。