[发明专利]传感器设备、对应的涡轮增压器和测量质量流量的方法有效

专利信息
申请号: 201380055898.6 申请日: 2013-08-23
公开(公告)号: CN104769229B 公开(公告)日: 2018-01-23
发明(设计)人: 卡尔文·霍华德·考克斯 申请(专利权)人: 康明斯有限公司
主分类号: F01D17/02 分类号: F01D17/02;F02C6/12;G01F5/00;F01D17/08;F02C7/04;F04D29/44
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 汪洋
地址: 英国哈德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 传感器 设备 对应 涡轮 增压 测量 质量 流量 方法
【权利要求书】:

1.一种传感器设备,包括具有内周边的壳体,所述内周边限定气体能够流过的区域,该壳体设置有:

第一室,所述第一室在所述气体能够流过的区域周围延伸,所述第一室的入口分布在所述第一室周围;和

第二室,所述第二室在所述气体能够流过的区域周围延伸,所述第二室的出口分布在所述第二室周围;

在使用时,第一室被布置在第二室的上游;

其中,所述传感器设备进一步包括被布置成用于测量所述第一室中的压力与所述第二室中的压力之间的压差的一个或多个传感器;并且

其中支架从所述传感器设备延伸,所述支架具有气体能够流过的开口。

2.根据权利要求1所述的传感器设备,其中第一室具有足够大的横截面积,使得在使用时,第一室内的气体的压力在传感器的工作过程中基本均衡。

3.根据权利要求1所述的传感器设备,其中第二室具有足够大的横截面积,使得在使用时,第二室内的气体的压力在传感器的工作过程中基本均衡。

4.根据权利要求1所述的传感器设备,其中所述传感器设备进一步包括连接在第一室和第二室之间的感测通路,使得在使用时气体流过所述感测通路,并且其中所述一个或多个传感器定位在感测通路中。

5.根据权利要求4所述的传感器设备,其中第一室被成形,使得第一室的入口与感测通路之间没有直通的流动路径。

6.根据权利要求4所述的传感器设备,其中第一室的入口在所述感测通路附近较窄并且在进一步远离所述感测通路的入口的位置处较宽。

7.根据权利要求4所述的传感器设备,其中所述第一室的入口在所述第一室周围间歇地延伸,并且其中所述第一室的入口的位于感测通路的入口附近的打开部占据的所述第一室的入口的比例比所述第一室的入口的进一步远离感测通路的入口的打开部占据的第一室的入口的比例小。

8.根据权利要求4所述的传感器设备,其中第二室的出口在感测通路的出口附近处较窄并且在进一步远离感测通路的出口的位置处较宽。

9.根据权利要求4所述的传感器设备,其中所述第二室的出口在所述第二室周围间歇地延伸,并且其中所述第二室的出口的位于感测通路的出口附近的打开部占据的第二室的出口的比例比所述第二室的出口的进一步远离感测通路的出口的打开部占据的第二室的出口的比例小。

10.根据权利要求4所述的传感器设备,其中所述一个或多个传感器包括至少部分地定位在感测通路中的感测装置。

11.根据权利要求10所述的传感器设备,其中所述感测装置至少部分地定位在设置于感测通路中的限流器内。

12.根据权利要求10或11所述的传感器设备,其中所述感测装置包括两个双极晶体管,所述两个双极晶体管中的一个双极晶体管被电加热。

13.根据权利要求12所述的传感器设备,其中所述感测装置进一步包括电路,该电路被构造成用于向被电加热的双极晶体管提供大致恒定的功率并且用于测量所述两个双极晶体管的基极发射极电压之间的差值。

14.根据权利要求12所述的传感器设备,其中所述感测装置进一步包括电路,该电路被构造成用于在所述两个双极晶体管之间保持大致恒定的温差,并且测量用于加热所述被电加热的双极晶体管的功率。

15.根据权利要求13所述的传感器设备,其中所述电路进一步被构造成用于测量未被电加热的双极晶体管的温度。

16.根据权利要求15所述的传感器设备,所述感测装置至少部分地定位在设置于感测通路中的限流器内;并且其中所述未被电加热的双极晶体管被定位在所述限流器中。

17.根据权利要求11所述的传感器设备,其中所述限流器不与所述传感器设备的其它部件整体地形成。

18.根据权利要求11所述的传感器设备,其中所述限流器由与用于形成传感器设备的壳体的材料不同的材料形成。

19.根据权利要求1所述的传感器设备,其中所述一个或多个传感器包括连接在第一室和第二室之间的应变计。

20.根据权利要求19所述的传感器设备,其中所述应变计被设置在连接于第一室和第二室之间的感测通路中。

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