[发明专利]EUV辐射产生设备及其运行方法有效
| 申请号: | 201380055789.4 | 申请日: | 2013-09-19 |
| 公开(公告)号: | CN104756607B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
| 发明(设计)人: | M·兰贝特;A·恩茨曼 | 申请(专利权)人: | 通快激光系统半导体制造有限公司 |
| 主分类号: | H05G2/00 | 分类号: | H05G2/00 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 曾立 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | euv 辐射 产生 设备 及其 运行 方法 | ||
1.一种EUV辐射产生设备(1),其包括:真空室(4)以及用于将来自驱动激光器装置(2)的激光射束(5)朝目标位置(Z)方向引导的射束引导室(3),在所述真空室中为了产生EUV辐射(14)可以将靶材料(13)设置在所述目标位置(Z)处,
其特征在于
安置在所述真空室(4)和所述射束引导室(3)之间的中间室(18),
气体密封地封闭所述中间室(18)的用于使来自所述射束引导室(3)的激光射束(5)进入的第一窗(19),以及气体密封地封闭所述中间室(18)的用于使所述激光射束(5)输出到所述真空室(4)中的第二窗(20)。
2.根据权利要求1所述的EUV辐射产生设备,其特征在于,所述射束引导室(3)具有比周围环境、尤其比所述EUV辐射产生设备(1)外部的周围环境更高的压力(p1)。
3.根据权利要求1或2所述的EUV辐射产生设备,其还包括:
用于将检查气体(24)输送到所述中间室(18)的输送装置(23)以及用于根据所输送的检查气体(24)监视所述中间室(18)的泄漏的泄漏监视装置(29)。
4.根据权利要求3所述的EUV辐射产生设备,其中,所述输送装置(23)构造用于在所述中间室(4)中产生检查气体压力(p),所述检查气体压力大于所述射束引导室(3)中的压力(p1)并且大于所述真空室(4)中的运行压力(p2)。
5.根据权利要求3或4所述的EUV辐射产生设备,其中,所述输送装置(23)具有用于以供给压力(p0)提供所述检查气体(24)的提供装置(25)以及设置在所述压力产生装置(25)和所述中间室(18)之间的节流阀(26)。
6.根据权利要求5所述的EUV辐射产生设备,其中,所述输送装置(23)具有用于确定输送给所述中间室(18)的检查气体流(dv/dt)的气体流传感器(30)。
7.根据权利要求2至6中任一项所述的EUV辐射产生设备,其还包括:至少一个用于确定所述中间室(18)中的检查气体压力(p)的压力传感器(28)。
8.根据以上权利要求中任一项所述的EUV辐射产生设备,其还包括:用于在所述真空室(4)中产生运行压力(p2)的真空产生装置(21)。
9.根据以上权利要求中任一项所述的EUV辐射产生设备,其还包括:用于使所述激光射束(5)在所述目标位置(Z)处聚焦的聚焦装置(6)。
10.根据权利要9所述的EUV辐射产生设备,其中,所述聚焦装置(6)设置在所述真空室(4)中。
11.根据以上权利要求中任一项所述的EUV辐射产生设备,其中,将所述窗(19,20)中的至少一个构造为平面平行的板。
12.根据以上权利要求中任一项所述的EUV辐射产生设备,其中,所述窗(19,20)中的至少一个由金刚石构成。
13.根据以上权利要求中任一项所述的EUV辐射产生设备,其中,所述射束引导室(3)具有用于扩展所述激光射束(5)的装置(15)。
14.一种用于运行根据以上权利要求中任一项所述的EUV辐射产生设备(1)的方法,所述方法包括:
通过将所述激光射束(5)引导到设置在所述目标位置(Z)处的靶材料(13)来产生EUV辐射(14),
其特征在于,
根据所述中间室(18)中的检查气体压力(p)和/或根据输送给所述中间室(18)的检查气体(24)的检查气体流(dv/dt)来监视所述中间室(18)的泄漏。
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