[发明专利]包含铝合金的具有高铝含量的膜的沉积

权利要求书

1.一种沉积膜的方法，所述方法包括以下步骤：

使基板表面暴露于金属卤化物前驱物，所述金属卤化物前驱物包括金属卤化物以于所述基板表面处提供金属卤化物；

清除过剩的金属卤化物；

使所述基板表面暴露于烷基铝前驱物和铝烷前驱物，以提供包括金属铝合金的N-金属膜，所述烷基铝前驱物包括以下物质中的一或多种：三甲基铝、三乙基铝、氢化二甲基铝、二乙基氢化铝、甲基二氢化铝、C1-C3单烷基氢化铝或C1-C3二烷基氢化铝，所述铝烷前驱物包括胺-铝烷和稳定化胺，所述稳定化胺选自二甲基环己胺和二环甲基己胺中的一或多种。

2.如权利要求1所述的方法，其中在暴露于所述铝烷前驱物之前进行暴露于所述烷基铝前驱物。

3.如权利要求1所述的方法，其中在暴露于所述铝烷前驱物之后进行暴露于所述烷基铝前驱物。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述金属选自钛、钽和铪中的一或多种。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述基板表面具有200至400℃的温度。

6.如权利要求2所述的方法，其中所述基板表面暴露于所述烷基铝与所述基板表面暴露于所述铝烷前驱物至少部分重叠。

7.如权利要求2所述的方法，进一步包括清除所述铝烷前驱物。

8.如权利要求2所述的方法，进一步包括使所述基板表面暴露于胺，其中在所述基板表面暴露于所述烷基铝和/或所述铝烷前驱物时所述基板表面暴露于所述胺。

9.如权利要求2所述的方法，进一步包括用合金剂浸泡所述N-金属膜，其中所述合金剂包括SiH₄、GeH₄、三甲基镓和B₂H₆中的一或多种。

10.如权利要求2所述的方法，其中所述N-金属膜含有小于20％的碳。

11.如权利要求2所述的方法，进一步包括在所述基板暴露于所述铝烷前驱物期间，使所述基板表面暴露于第四前驱物，所述第四前驱物包括二甲基乙基胺、二甲基环己胺或吡咯烷铝烷中的一或多种。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述第四前驱物是蒸汽前驱物。

13.一种通过权利要求1所述的方法形成的包含铝、碳和另一金属的铝金属合金膜，所述另一金属不同于铝，其中所述铝的元素含量是大于16％的量，且碳含量小于50％。

14.如权利要求13所述的膜，其中所述另一金属选自由钛、钽和铪组成的群组。

15.如权利要求13所述的膜，其中所述铝的元素含量是大于20％的量。

16.如权利要求15所述的膜，其中所述碳的元素含量是小于30％的量。

17.如权利要求13所述的膜，其中金属与碳的元素含量比例小于50％。

18.一种通过权利要求1所述的方法制得的膜。