[发明专利]多晶硅制造用原料气体的供给方法和多晶硅

权利要求书

1.一种多晶硅制造用原料气体的供给方法，向用于通过西门子法制造多晶硅的反应炉中供给原料气体，其特征在于：

使用配置有一个以上原料气体供给喷嘴的反应炉，使得反应炉内的所述原料气体的流动模式在反应炉中心部呈上升流且在反应炉外壁侧部呈下降流；

在0.25MPa～0.9MPa的反应压力下进行多晶硅的析出反应时，在所述原料气体供给喷嘴的气体供给口处的原料气体的流速设为u(m/sec)、原料气体供给量设为Q(kg/sec)、所述反应炉的内部容积设为V(m³)时，以使得值Q×u²/V的合计Σ(Q×u²/V)为2500(kg/m·sec³)以上的方式设定所述原料气体供给喷嘴各自的u和Q的值。

2.根据权利要求1所述的多晶硅制造用原料气体的供给方法，其中，

设置在所述反应炉中的所述一个以上原料气体供给喷嘴都设置在如下假想同心圆的内侧，该假想同心圆是在将所述反应炉的底板的面积设为S₀时在该底板的中央部具有中心且面积S为S₀/2的假想同心圆。

3.根据权利要求1或2所述的多晶硅制造用原料气体的供给方法，其中，

将所述在0.25MPa～0.9MPa的反应压力下进行多晶硅的析出反应时的反应温度设定在980℃～1150℃的范围。

4.根据权利要求3所述的多晶硅制造用原料气体的供给方法，其中，

在以使得所述合计Σ(Q×u²/V)为2500(kg/m·sec³)以上的方式得到所述原料气体流速u时，将供给至所述原料气体供给喷嘴的原料气体压力设定为1MPa～2MPa。

5.根据权利要求4所述的多晶硅制造用原料气体的供给方法，其中，

所述1MPa～2MPa的原料气体压力的设定基于由原料气体压缩机提供的压缩升压或者液体原料在高温下的汽化中的至少一者来进行。

6.一种多晶硅，其是使由根据权利要求1～5中任一项所述的方法供给的多晶硅制造用原料气体析出而得到。