[发明专利]薄膜形成装置及薄膜形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜形成装置及薄膜形成方法。

本申请基于2012年10月19日申请的日本国特愿2012-231876号及2012年10月19日申请的日本国特愿2012-231877号要求优先权，并将其内容援引于此。

背景技术

作为构成显示器装置等显示装置的显示元件，已知有例如液晶显示元件、有机电致发光(有机EL)元件、电子纸中使用的电泳元件等。作为制作安装有这些元件的显示器面板等电子器件的一个方法，已知有例如被称为卷对卷(roll to roll)方式(以下，简记为“卷轴方式”)的方法(例如，参照专利文献1)。

卷轴方式是如下方法：将卷绕在基板供给侧的辊上的一片片状的基板送出，并且一边用基板回收侧的辊卷取送出的基板，一边搬运基板，在从基板送出到被卷取为止之间，在基板上依次形成用于电子器件(显示像素电路、驱动器电路、布线等)的显示电路和驱动器电路等的图案。近年来，提出了形成例如构成晶体管的半导体层等薄膜的处理装置。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2008/129819号

发明内容

在上述那样的卷轴方式中，迫切期望能够制造电气特性高的薄膜的技术。

本发明的方案的目的在于，提供能够制造电气特性高的薄膜的薄膜形成装置及薄膜形成方法。

根据本发明的第一方案，提供一种在基板的表面形成薄膜的薄膜形成装置，具有：供给部，其将含有薄膜的材料的溶媒的液滴供给至基板的表面；形状变形部，其使基板的表面上的液滴的形状以从一个方向朝向另一个方向延伸的方式变形；以及除去部，其对从一个方向朝向另一个方向延伸了的液滴除去溶媒。

根据本发明的第二方案，提供一种在基板的表面形成薄膜的薄膜形成方法，具有：供给工序，其将含有薄膜的材料的溶媒的液滴供给至基板的表面；变形工序，其使基板的表面上的液滴的形状以从一个方向朝向另一个方向延伸的方式变形；除去工序，其对从一个方向朝向另一个方向延伸了的液滴除去溶媒。

根据本发明的第三方案，提供一种薄膜形成方法，在基板的表面上，在设定为包含薄膜晶体管的漏电极和源电极的膜形成区域内形成半导体薄膜，具有：供给工序，其将含有上述半导体薄膜的材料的溶媒的液滴供给至上述膜形成区域的一部分；变形工序，其使供给至上述膜形成区域的一部分的上述液滴以沿上述漏电极与上述源电极之间的结晶化的方向延伸的方式变形；以及除去工序，其从上述变形的上述液滴除去上述溶媒。

根据本发明的第四方案，提供一种在基板的表面形成薄膜的薄膜形成装置，具有：光照射部，其在基板上，对形成有接受光的照射而构造发生变化的材料的区域照射光；供给部，其将含有薄膜的材料的溶媒的液滴供给至区域；除去部，其从供给至区域的液滴除去溶媒。

根据本发明的第五方案，提供一种在基板的表面形成薄膜的薄膜形成方法，具有：光照射工序，其在基板上，对形成有接受光的照射而构造发生变化的材料的区域照射光；供给工序，其将含有薄膜的材料的溶媒的液滴供给至区域；以及除去工序，其从供给至区域的液滴除去溶媒。

根据本发明的第六方案，提供一种薄膜形成方法，其在以包含构成薄膜晶体管的漏电极和源电极的方式设定在基板上的膜形成区域内形成半导体薄膜，包含：第一工序，其将上述膜形成区域的表面处理为具有各向异性的分子构造的状态；第二工序，其将含有上述半导体薄膜的材料的溶媒的液滴供给至上述膜形成区域；第三工序，其从供给至上述膜形成区域的上述液滴除去上述溶媒。

发明效果

根据本发明的方案，能够制造电气特性高的薄膜。

根据本发明的其他方案，能够形成高精度的图案。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式的基板处理装置的结构的图。

图2是表示本实施方式的处理装置的结构的图。

图3是表示本实施方式的基板的被处理面的一部分结构的图。

图4是表示本实施方式的处理装置的一部分结构的图。

图5A是表示关于液滴的倾斜的图。

图5B是表示关于液滴的倾斜的图。

图6是表示本实施方式的处理装置的动作的图。

图7是表示本实施方式的处理装置的动作的图。

图8是表示本实施方式的处理装置的动作的图。

图9A是表示基于本实施方式的处理装置的动作而形成的基板的被处理面的状态的图。