[发明专利]硬罩幕组成物及使用硬罩幕组成物的图案形成方法

说明书

揭示硬罩幕组成物以及使用硬罩幕组成物的图案形成方法。硬罩幕组成物包括由下列化学式1表示的高分子、由下列化学式2表示的单体以及溶剂，其中所包含的单体的含量等同于或高于高分子的含量。一实施例的硬罩幕组成物确保耐热性以及耐蚀刻性，且满足填沟特性。

技术领域

揭示一种硬罩幕组成物以及一种图案形成方法。

背景技术

近年来，半导体产业发展了尺寸在数纳米至数十纳米的图案的超微细技术(ultra-fine technique)。此种超微细技术实质上须要有效的微影技术(lithographictechnique)。

典型的微影技术包括在半导体基板上提供材料层；在其上涂布光阻层；对光阻层进行曝光与显影以提供光阻图案；以及利用光阻图案作为罩幕(mask)蚀刻材料层。

现今，当所形成的图案的尺寸逐渐缩小时，难以仅通过上述典型的微影技术提供具有优良轮廓(profile)的微细图案(fine pattern)。因此，可在材料层与光阻层之间形成光阻底层(称为硬罩幕层(hardmask layer))以提供微细图案。在经由选择蚀刻处理将光阻的微细图案转移至材料层的过程中，硬罩幕层扮演中间层(intermediate layer)的角色。

因此，在多重蚀刻处理期间，硬罩幕层必须具有耐热性、抗蚀刻性或相似的耐受性等特性。此外，根据硬罩幕层的应用范围的扩大，可通过旋转涂布法(spin-on coatingmethod)在预定图案上形成硬罩幕层。

在此情况下，在图案之间的间隙中填入硬罩幕组成物的填沟(gap-fill)特性以及平坦化(planarization)特性是必需的。

发明内容

技术问题

一实施例提供一种硬罩幕组成物，其确保耐热性以及耐蚀刻性，且满足填沟特性。

另一实施例提供一种利用所述硬罩幕组成物的图案形成方法。

技术方案

根据一实施例，提供一种硬罩幕组成物，包括由下列化学式1表示的高分子、由下列化学式2表示的单体以及溶剂，其中单体的含量等同于或高于高分子的含量。

[化学式1]

[化学式2]

在上述化学式1或化学式2中，

R₁为单键或经取代或未经取代的C1至C10亚烷基(alkylene group)，