[发明专利]基板装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及基板装置及其制造方法，特别是，涉及基板装置所具备的导电性图案的形成技术。

背景技术

在TFT(Thin Film TranSistor，薄膜晶体管)面板的制造中，一般来说，在数据配线/端子部配线上层叠较厚的绝缘性保护膜(一般是有机树脂膜)后，还在上层形成导电性膜(透明电极膜)的图案。

图20示出通过包含如上述这样的成膜/图案形成工序的制造方法理应制造出的理想的TFT面板300的截面图。另外，图21示出从正上方俯视TFT面板300时的概要图，图22是将TFT面板300在图21的A-B处截断时的截面图，可知多个数据配线/端子部配线7之间电绝缘。如图20～图22所示，理想的是，TFT面板300的多个数据配线/端子部配线7之间电绝缘。

但是，实际上，在与理想的TFT面板300具备相同构成的现有的TFT面板中，在数据配线/端子部配线7上层叠较厚的绝缘性保护膜8然后在上层形成透明电极膜9的图案时，在数据配线/端子部配线7之间有形成电流泄漏路径的倾向。

图23～图25与示出理想的TFT面板的状态的图20～图22分别对应，而示出通过层叠较厚的绝缘性保护膜8来实施的TFT阵列工序实际制造的现有的TFT面板200的一例。图23示出TFT面板200的截面图。另外，图24示出从正上方俯视TFT面板200时的概要图，图25是将TFT面板200在图24的A-B处截断时的截面图。

如图23～图25所示，当在数据配线/端子部配线7上层叠较厚的绝缘性保护膜8时，沿着绝缘性保护膜8的图案边缘81，有残留透明电极膜残余物91的倾向。并且，在未被绝缘性保护膜8覆盖的多个数据配线/端子部配线7之间存在透明电极膜残余物91的情况下，透明电极膜残余物91会形成电流泄漏回路，而在多个数据配线/端子部配线7之间发生电短路。

图26～图28是示出沿着绝缘性保护膜8的图案边缘81在多个数据配线/端子部配线7之间产生透明电极膜残余物91的原因的图。图26示出在较厚的绝缘性保护膜8上刚刚形成透明电极膜90之后的截面图，图27示出在图26所示的状态之后还在透明电极膜90上涂布了抗蚀剂的状态的截面图。另外，图28是示出所涂布的抗蚀剂的残滓沿着绝缘性保护膜8的图案边缘存在的情况的截面图。

如图26所示，在绝缘性保护膜8的图案边缘81形成透明电极膜90时，沿着高度方向H的部位的膜厚有形成得较大的倾向。在该高度方向H的膜厚较大的情况下，即使通过进行图案蚀刻，也无法将数据配线/端子部配线7间的多余的透明电极膜90完全除去，由于这一原因，在图案蚀刻后会产生透明电极膜残余物91。

或者，如图27所示，在形成透明电极膜图案的光刻工序中，所涂布的抗蚀剂与透明电极膜90同样是沿着绝缘性保护膜8的高度方向变厚。因此，如图28所示，曝光会不充分，而在显影后产生抗蚀剂残滓。由于上述抗蚀剂残滓部分的原因，在蚀刻后会产生透明电极膜残余物91。

使用图26说明的理由和使用图27和图28说明的理由会导致发生如下事态：在未被绝缘性保护膜8覆盖的多个数据配线/端子部配线7之间，透明电极膜残余物91形成电流泄漏回路。

至此，使用顶栅结构的TFT面板说明了沿着绝缘性保护膜8的图案边缘81产生的透明电极膜残余物91和透明电极膜残余物91所导致的数据配线/端子部配线7之间的电流泄漏路径的形成。

但是，沿着绝缘性保护膜8的图案边缘81产生的透明电极膜残余物91和透明电极膜残余物91所导致的数据配线/端子部配线7之间电流泄漏路径的形成的问题并非仅涉及顶栅结构的TFT面板。

图19是示出理想的底栅结构的TFT面板400的结构的截面图。

从TFT面板400中的绝缘性保护膜8的形状也可知，在底栅结构的TFT面板400中，沿着绝缘性保护膜8的图案边缘81，也有产生透明电极膜残余物91的倾向。即，透明电极膜残余物91的产生和透明电极膜残余物91所导致的数据配线/端子部配线7之间的电流泄漏路径的形成，在底栅结构的TFT面板中也是问题。

因此，已进行用于即使在将绝缘性保护膜堆积得较厚时也会防止多个数据配线/端子部配线之间的电短路的各种尝试。

在下面列举的专利文献1中公开了如下技术：通过将安装端子间的层间绝缘膜的端部设为凸形状，来抑制图案边缘部分的像素电极材料残滓，防止安装端子间的短路。