[发明专利]带电粒子束装置有效
| 申请号: | 201380052989.4 | 申请日: | 2013-10-11 |
| 公开(公告)号: | CN104737280B | 公开(公告)日: | 2018-08-07 |
| 发明(设计)人: | 平井大博;中垣亮;小原健二 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01J37/22;H01J37/28 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 曾贤伟;郝庆芬 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 带电 粒子束 装置 | ||
本发明是一种具备观察试样上的缺陷的缺陷观察装置的带电粒子束装置,具备:控制部、以及显示部,所述控制部在多个修正条件下针对利用所述缺陷观察装置取得的一张以上图像执行漂移修正处理,并使所述多个修正条件与执行了所述漂移修正处理的多个修正图像对应,作为第1画面显示在所述显示部中。
技术领域
本发明涉及具备半导体器件的缺陷观察装置的带电粒子束装置。
背景技术
为了在半导体制造中确保高成品率,早期发现在制造工序中发生的缺陷并实施对策是重要的。近年来,随着半导体的微细化,对成品率造成影响的缺陷也多样化,应当作为观察对象的制造工序也增加。例如,起因于对试样的带电而发生像漂移的制造工序,成为缺陷观察的对象工程的事例正在增加。
SEM(Scanning Electric Microscope(扫描电子显微镜))式缺陷观察装置是用于对这样的多种多样的缺陷进行观察的装置,一般是对由上位的缺陷检查装置检测出的缺陷位置的图像,通过上位的缺陷检查装置以高品质进行观察的装置。具体地,向上位的缺陷检查装置所输出的缺陷坐标移动试样工作台,以成为观察对象的缺陷进入视野内的程度的低倍率进行拍摄,确定正确的缺陷位置,移动试样工作台以使缺陷位置来到视野中心,或者移动拍摄中心以适合于缺陷观察的高倍率来取得观察用图像。这样,利用低倍率图像来确定缺陷位置,在上位的缺陷检查装置所输出的缺陷坐标中,在装置规范的范围内存在误差,因此,在利用SEM式缺陷观察装置取得高品质的缺陷图像时,需要进行用于修正该误差的处理。使取得高品质的缺陷图像的工序自动化的是ADR(Automatic Defect Review(自动缺陷观察)或者Redetection(再观察))。
在ADR中,需要根据上位的缺陷检查装置的缺陷坐标检测精度或试样的特性,使低倍率图像的取得条件、高倍率图像的取得条件等最佳化,以兼顾ADR的缺陷检测率和包含图像取得时间的ADR的吞吐量,然而,一般地,ADR的缺陷检测率与吞吐量是综合调整的关系,因此,是即使积累了经验的熟练者也难以决定最佳条件的作业,希望实现最佳条件设定作业容易化。
此外,自动进行基于以高品质取得的缺陷图像来确定缺陷种类的作业的ADC(Automatic Defect Classification(自动缺陷分类))也已实用化,特别地,在量产线上扩大了ADC的应用工序。在ADC中也存在ADC的缺陷分类正确率与包含图像取得时间的ADC的吞吐量的综合调整的关系,因此是难以决定最佳条件的作业,希望实现最佳条件设定作业的容易化。
专利文献1中公开了一种在扫描电子显微镜中,取得多张对观察视野进行扫描而得到的帧图像,计算各帧图像间的漂移量,修正漂移量来使帧图像重合,由此,即使在发生了像漂移的情况下也得到鲜明图像的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开2010/070815号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而,专利文献1的技术是以进行自动测长时的像漂移为对象。在专利文献1中能够稳定地计算在高倍率图像中的测长值,然而在应用到缺陷观察装置的情况下,产生以下课题。
在以专利文献1预想的制造图案的自动测长为目的的扫描电子显微镜中,用户针对每个样本、或配方来设定成为测长对象的制造图案,在一个样本或配方内成为测长对象的制造图案的种类是受限制的。也就是说,在自动测长中,在预定的坐标中对预定的制造图案进行测长,因此在例如样本之间最佳参数不会改变。
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- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





