[发明专利]用于选择性气体注入和抽取的设备有效
申请号: | 201380052520.0 | 申请日: | 2013-10-17 |
公开(公告)号: | CN104718603B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 马丁·J·里普利 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 选择性 气体 注入 抽取 设备 | ||
1.一种用于在处理腔室中使用的气体注入和抽取设备,所述气体注入和抽取设备包括:
板,所述板具有穿过所述板的厚度的多个孔,所述多个孔中的每一个孔具有孔壁;
多个管,每一个管部分地设置在所述多个孔中的一个孔内,其中所述管中的每一个管的设置部分与设置所述管的所述孔的所述孔壁的至少一部分间隔开,从而在所述孔壁的至少一部分与所述管的所述设置部分之间形成空隙;
气源,所述气源流体地耦接至所述管中的每一个管;和
真空源,所述真空源流体地耦接至所述空隙的每一个空隙,
其中,当使用时,所述气体注入和抽取设备以所述板与基板支撑件的支撑表面相对设置在所述处理腔室内,所述基板支撑件经配置以绕所述支撑表面上的一点旋转。
2.如权利要求1所述的气体注入和抽取设备,其中所述孔的截面为六边形。
3.如权利要求1所述的气体注入和抽取设备,其中满足以下条件中的至少之一:
所述管中的至少一些管流体地耦接至共享气源;或
所述空隙中的至少一些空隙流体地耦接至共享真空源。
4.一种处理腔室,所述处理腔室包括:
腔室主体,所述腔室主体包围处理容积并具有设置于所述处理容积内的基板支撑件,所述基板支撑件经配置以绕所述基板支撑件的支撑表面上的一点旋转;和
权利要求1至3中任一项所述的气体注入和抽取设备。
5.如权利要求4所述的处理腔室,其中满足以下条件中的至少之一:
所述多个管中的至少一些管流体地耦接至共享气源;或
所述空隙中的至少一些空隙流体地耦接至共享真空源。
6.一种具有气体注入和抽取设备的处理腔室,所述处理腔室包括:
腔室主体,所述腔室主体包围处理容积并具有设置于所述处理容积内的基板支撑件,所述基板支撑件经配置以将基板支撑在所述基板支撑件的支撑表面上并且绕所述支撑表面的中心点旋转;
第一气体注入和抽取设备,所述第一气体注入和抽取设备设置在所述腔室主体内与所述基板支撑件的所述支撑表面相对,所述第一气体注入和抽取设备包括:
第一气体注入管道,所述第一气体注入管道从所述基板支撑件的周边处的或超过周边的一点延伸至所述中心点附近的一点处并且在所述基板支撑件的所述支撑表面的至少一部分之上延伸;和
第一气体抽取管道,所述第一气体抽取管道与所述第一气体注入管道相邻且在所述基板支撑件的所述支撑表面的至少一部分之上延伸;
第一气源,所述第一气源流体地耦接至所述第一气体注入管道以将一种或更多种气体提供至靠近所述基板支撑件的区域;
第一真空源,所述第一真空源流体地耦接至所述第一气体抽取管道;
第二气体注入和抽取设备,所述第二气体注入和抽取设备设置在所述腔室主体内与所述基板支撑件的所述支撑表面相对,所述第二气体注入和抽取设备包括:
第二气体注入管道,所述第二气体注入管道从所述基板支撑件的周边处的或超过周边的一点延伸至所述中心点附近的一点处并且在所述基板支撑件的所述支撑表面的至少一部分之上延伸;和
第二气体抽取管道,所述第二气体抽取管道与所述第二气体注入管道相邻且在所述基板支撑件的所述支撑表面的至少一部分之上延伸;
第二气源,所述第二气源流体地耦接至所述第二气体注入管道以将一种或更多种气体提供至靠近所述基板支撑件的第二区域;
第二真空源,所述第二真空源流体地耦接至所述第二气体抽取管道;
第三气体注入和抽取设备和第四气体注入和抽取设备,所述第三气体注入和抽取设备和所述第四气体注入和抽取设备设置在所述腔室主体内与所述基板支撑件的所述支撑表面相对,所述第三气体注入和抽取设备和所述第四气体注入和抽取设备设置于所述第一气体注入和抽取设备与所述第二气体注入和抽取设备之间,所述第三气体注入和抽取设备和所述第四气体注入和抽取设备分别包括:
第三气体注入管道和第四气体注入管道,所述第三气体注入管道和所述第四气体注入管道在所述基板支撑件的所述支撑表面的至少一部分之上延伸;和
第三气体抽取管道和第四气体抽取管道,所述第三气体抽取管道和所述第四气体抽取管道与相应的所述第三气体注入管道和所述第四气体注入管道相邻且在所述基板支撑件的所述支撑表面的至少一部分之上延伸;
第三气源和第四气源,所述第三气源和所述第四气源分别流体地耦接至所述第三气体注入管道和所述第四气体注入管道,以分别将一种或更多种气体提供至靠近所述基板支撑件的第三区域和第四区域;和
第三真空源和第四真空源,所述第三真空源和所述第四真空源分别流体地耦接至所述第三气体抽取管道和所述第四气体抽取管道。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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