[发明专利]合成支撑剂和单分散支撑剂以及其制备方法

权利要求书

1.一种烧结陶瓷支撑剂集群，其具有中值粒度，其中所述烧结陶瓷支撑剂是以3σ分布以下的分布进行单分散，其中总分布的宽度为所述中值粒度的5％以下，并且其中所述烧结陶瓷支撑剂的粒度为100μm至3,000μm。

2.根据权利要求1所述的烧结陶瓷支撑剂集群，其中所述分布为2σ分布以下。

3.根据权利要求1所述的烧结陶瓷支撑剂集群，其中所述分布为1σ分布。

4.根据权利要求1所述的烧结陶瓷支撑剂集群，其中所述烧结陶瓷支撑剂包括铝氧化物、二氧化硅和一种或多种混合的金属铝氧化物。

5.根据权利要求1所述的烧结陶瓷支撑剂集群，其中所述烧结陶瓷支撑剂的比重为0.6至4。

6.根据权利要求1所述的烧结陶瓷支撑剂集群，其中所述支撑剂的压碎强度为5,000psi至30,000psi。

7.根据权利要求1所述的烧结陶瓷支撑剂集群，其中所述烧结陶瓷支撑剂的克鲁宾球度为至少0.9。

8.根据权利要求1所述的烧结陶瓷支撑剂集群，其中所述烧结陶瓷支撑剂包括核和围绕所述核的至少一个壳。

9.根据权利要求1所述的烧结陶瓷支撑剂集群，其中所述烧结陶瓷支撑剂包括核和壳，其中中央空洞或中空区域的集群存在于所述核内。

10.根据权利要求1所述的烧结陶瓷支撑剂集群，其克鲁宾球度为至少0.92。

11.根据权利要求10所述的烧结陶瓷支撑剂集群，其中所述克鲁宾球度为0.95至0.99。

12.根据权利要求1所述的烧结陶瓷支撑剂集群，其中所述烧结陶瓷支撑剂具有小于1重量％支撑剂的火成岩或变质岩材料。

13.根据权利要求1所述的烧结陶瓷支撑剂集群，其中所述烧结陶瓷支撑剂包括至少一种陶瓷，其中所述陶瓷包括堇青石、莫来石、矾土、硅土、锂辉石、粘土、硅氧化物、铝氧化物、钠氧化物、钾氧化物、钙氧化物、锆氧化物、锂氧化物、铁氧化物、尖晶石、滑石、硅酸盐、置换的铝硅酸盐粘土、无机氮化物、无机碳化物、或非氧化物陶瓷或其任何混合物。

14.根据权利要求1所述的烧结陶瓷支撑剂集群，其中所述烧结陶瓷支撑剂包括至少一种陶瓷，其中所述陶瓷包括玻璃-陶瓷。

15.根据权利要求1所述的烧结陶瓷支撑剂集群，其中所述烧结陶瓷支撑剂包括至少一种陶瓷，其中所述陶瓷包括铝氧化物、硅氧化物、钛氧化物、铁氧化物、镁氧化物、钙氧化物、钾氧化物和/或钠氧化物、或其任何组合。

16.根据权利要求1所述的烧结陶瓷支撑剂集群的制备方法，其包括形成包含一种或多种陶瓷粒状物材料的球形坯体核；

同时或后来形成围绕所述坯体核的坯体壳，其中所述坯体壳包括至少一种陶瓷粒状物材料，其得到生料核/壳体；

烧结所述生料核/壳体，并且在烧结期间，至少一部分所述坯体核扩散到所述坯体壳，从而形成具有a)中央空洞或中空区域集群和b)壳的烧结陶瓷支撑剂。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述中央空洞或中空区域占所述烧结陶瓷支撑剂的总体积的至少1体积％。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述扩散导致所述坯体核的至少5重量％扩散至所述壳中。

19.根据权利要求16所述的方法，其中所述扩散导致所述坯体核的至少10重量％扩散至所述壳中。

20.根据权利要求16所述的方法，其中所述扩散导致所述坯体核的至少50重量％扩散至所述壳中。

21.根据权利要求16所述的方法，其中所述坯体壳具有比所述坯体核的软化温度高的软化温度。

22.根据权利要求16所述的方法，其中所述坯体壳具有比所述坯体核的软化温度高至少100℃的软化温度。

23.根据权利要求22所述的方法，其中所述坯体壳的软化温度比所述坯体核的软化温度高300℃至400℃。

24.根据权利要求16所述的方法，其中所述坯体壳的孔隙率为至少10体积％，基于所述坯体壳的体积。