[发明专利]用于快速热处理的最小接触边缘环

权利要求书

1.一种基板支撑环，所述支撑环包含：

环形主体；

边缘唇，所述边缘唇从所述环形主体的表面径向向内延伸，其中所述边缘唇具有沿所述基板支撑环的圆周变化的径向宽度；以及

基板支撑件，所述基板支撑件从所述边缘唇的顶表面向上延伸，其中所述基板支撑件为沿所述边缘唇的圆周设置的连续环形体，并且所述基板支撑件包含基板接触表面，所述基板接触表面具有5μm至200μm的径向宽度。

2.如权利要求1所述的支撑环，其中所述基板支撑件具有0.5mm至3mm的高度。

3.如权利要求1所述的支撑环，其中所述基板接触表面具有选自由半球形、菱形及三角形组成的群组的形状。

4.一种基板支撑环，所述支撑环包含：

内环；

外环，所述外环通过平面部分连接至所述内环的外部周边；

边缘唇，所述边缘唇从所述内环的内部周边径向向内延伸以形成支撑凸部，其中所述边缘唇具有沿所述基板支撑环的圆周变化的径向宽度；以及

基板支撑件，所述基板支撑件从所述支撑凸部的顶表面向上延伸，其中所述基板支撑件为绕所述支撑凸部的圆周设置的连续环形体，并且所述基板支撑件由碳化硅或碳化硅合金制成，且所述基板支撑件涂覆有二氧化硅层，且所述基板支撑件包含基板接触表面，所述基板接触表面具有5μm至200μm的径向宽度。

5.如权利要求4所述的支撑环，其中所述平面部分从所述外环的内部周边径向延伸至所述内环的所述外部周边。

6.如权利要求4所述的支撑环，其中所述基板接触表面具有选自由半球形、菱形及三角形组成的群组的形状。

7.如权利要求4所述的支撑环，其中所述基板接触表面具有半球形形状。

8.如权利要求4所述的支撑环，其中所述基板支撑件具有0.5mm至3mm的高度。

9.如权利要求4所述的支撑环，其中所述内环具有0mm至3mm的高度。

10.一种在热处理腔室中处理基板的方法，所述方法包含以下步骤：

提供基板支撑环，所述基板支撑环具有环形主体及从所述环形主体的表面径向向内延伸的边缘唇，其中所述边缘唇具有沿所述基板支撑环的圆周变化的径向宽度；以及

通过绕所述边缘唇的圆周设置的基板支撑件在基板的周边边缘附近支撑所述基板的背表面，其中所述基板支撑件是从所述边缘唇的顶表面向上延伸的连续环形体且所述基板支撑件通过与所述基板的所述背表面的5μm与200μm之间的线接触来支撑所述基板。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述边缘唇在所述基板的所述背表面下方延伸0.5mm至5.0mm的距离，所述距离从所述环形主体的表面测量。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述基板支撑件具有0.5mm至3mm的高度。

13.如权利要求10所述的方法，其中所述基板支撑件包含顶表面，所述顶表面具有选自由半球形、菱形及三角形组成的群组的形状。