[发明专利]半导体装置和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置和显示装置。

背景技术

在液晶显示装置所使用的液晶面板中，作为用于控制各像素的动作的开关元件，呈行列状设置有多个TFT。以往，作为TFT所使用的半导体膜，一般使用非晶硅等硅半导体，但是，近年来，提出了使用电子迁移率更高的氧化物半导体作为半导体膜。将使用这样的氧化物半导体的TFT作为开关元件使用的液晶显示装置的一个例子记载在下述专利文献1中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-230744号公报

(发明要解决的技术问题)

氧化物半导体，因为电子迁移率高，所以能够使TFT更加小型化从而能够使液晶面板的开口率提高，而且能够在设置有TFT的阵列基板上设置各种电路部。然而，当在阵列基板上形成电路部时，例如在制造过程中产生的静电有可能施加到电路部，这样时电路部有可能产生不良。

发明内容

本发明是基于上述情况完成的，其目的在于抑制由静电导致的不良的产生。

(用于解决技术问题的手段)

本发明的半导体装置包括：基板；形成在上述基板上的第1金属膜；至少形成在上述第1金属膜上的绝缘膜；形成在上述绝缘膜上的半导体膜；至少形成在上述半导体膜上保护上述半导体膜的保护膜；形成在上述保护膜上的第2金属膜；半导体功能部，该半导体功能部至少具有：由上述第2金属膜形成的2个电极部、由上述保护膜形成且具有在与2个上述电极部重叠的位置分别贯通形成的2个半导体功能部侧开口部的保护部、和由上述半导体膜形成且通过2个上述半导体功能部侧开口部与2个上述电极部分别连接并且具有在俯视时与上述电极部的外缘部交叉的外缘部的半导体部；静电释放配线部，该静电释放配线部由上述第1金属膜形成，配置于在俯视时与上述半导体功能部相邻的位置，沿上述基板的板面且沿与2个上述电极部的排列方向交叉的方向延伸，并且能够使静电释放；半导体功能部连接配线部，该半导体功能部连接配线部由上述第2金属膜形成，与2个上述电极部中的一个连接，并且沿上述基板的板面且沿2个上述电极部的排列方向延伸从而与上述静电释放配线部交叉；和静电保护部，该静电保护部至少具有静电引导部，该静电引导部由上述第2金属膜或上述半导体膜形成，在俯视时至少一部分与上述静电释放配线部重叠，且配置在与上述静电释放配线部和上述半导体功能部连接配线部的交叉部位相比相对靠近上述半导体功能部的位置，并且用于引导静电。

这样，半导体功能部中，与2个电极部连接的半导体部具有在俯视时与电极部的外缘部交叉的外缘部，因此，在半导体部的外缘部与电极部的外缘部的交叉位置配置在下层侧的绝缘膜的覆盖率局部地恶化而导致绝缘性降低，在该半导体装置的制造过程中产生的静电有可能被施加在上述交叉位置。关于这一点，在俯视时与半导体功能部相邻的位置，配置有由第1金属膜形成、沿基板的板面且沿与2个电极部的排列方向交叉的方向延伸的静电释放配线部，并且以在俯视时至少一部分与该静电释放配线部重叠的方式配置有由第2金属膜或半导体膜形成的静电引导部，因此，被夹在静电引导部与静电释放配线部之间的绝缘膜的覆盖率局部地恶化而导致绝缘性降低。由此，即使在该半导体装置的制造过程中产生静电，也能够将该静电引导至静电引导部，由此能够使得静电难以直接施加到半导体功能部。而且，静电保护部所具有的静电引导部，配置在与半导体功能部连接配线部和静电释放配线部的交叉部位相比相对靠近半导体功能部的位置，其中，上述半导体功能部连接配线部由第2金属膜形成，与2个电极部中的一个连接，并且沿基板的板面且沿2个电极部的排列方向延伸，因此，能够更适当地引导朝向半导体功能部的静电，由此能够进一步抑制静电直接施加到半导体功能部。

作为本发明的实施方式，优选如下的结构。

(1)上述半导体膜由氧化物半导体形成。由此，当半导体膜采用氧化物半导体时，在制造过程中形成第2金属膜时容易被蚀刻，另外在成膜后也处于容易被氧化或还原的趋势，但是在半导体膜与第2金属膜之间设置有保护膜，利用保护膜保护半导体膜，因此，在形成第2金属膜时难以被蚀刻，另外在成膜后半导体膜难以被氧化或还原。

(2)上述静电引导部由上述半导体膜形成。由此，配置在静电引导部的正下方的绝缘膜的覆盖率进一步恶化，因此，能够进一步提高静电引导效果。另外，当静电引导部由半导体膜形成时，与假设静电引导部由第2金属膜构成的情况相比，例如即使在无法充分确保下层侧的静电释放配线部的线宽的情况下，也能够使静电释放配线部难以发生短路，因此，能够提高成品率。