[发明专利]在表面上形成透明器件

权利要求书

1.一种器件，包括：

一个透明或实质上透明的衬底；

银纳米线薄膜，该银纳米线薄膜置于至少部分衬底之上；和

电介质材料，其置于至少部分银纳米线薄膜之上。

2.如权利要求1所述的器件，还包括下列部件中的一个或多个：天线、互连部件、传输线、频率选择性表面、电阻器、电容器、电感器。

3.如权利要求1所述的器件，其中衬底至少部分是由玻璃和树脂玻璃中的一种形成的。

4.如权利要求2所述的器件，其中天线配置为以RF、微波、和毫米波频率中的一个频率运行。

5.如权利要求1所述的器件，还包括置于衬底上的光学透明有源器件。

6.如权利要求2所述的器件，其中天线包括下列中的一个：形成在衬底上的银纳米线薄膜、金属线、和狭槽。

7.如权利要求2所述的器件，其中天线被配置为分集式天线。

8.如权利要求2所述的器件，还包括沿着天线、互连部件、传输线中的一个的边缘嵌入的导体。

9.如权利要求2所述的器件，其中电容器包括氮化硅和氧化铪(HfO₂)的一个，以及银纳米线薄膜被配置为欧姆触点。

10.如权利要求1所述的器件，还包括具有金属氧化物的盖层的天线，其中金属氧化物包括氧化铝(Al₂O₃)、二氧化硅(SiO₂)、和氧化铪(HfO₂)中的一个。

11.一种形成无源电子器件的方法，包括：

接收一个透明或实质上透明的衬底，该衬底包括银纳米线薄膜；

对银纳米线薄膜进行蚀刻；以及

用电介质材料对部分银纳米线薄膜进行涂覆。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述对银纳米线薄膜进行蚀刻还包括用包含镍蚀刻剂TFB的蚀刻剂对银纳米线薄膜进行蚀刻。

13.如权利要求11所述的方法，其中对部分银纳米线薄膜进行涂覆包括用氧化铝(Al₂O₃)、二氧化硅(S iO₂)、和氧化铪(HfO₂)中的一个对部分银纳米线薄膜进行涂覆。

14.如权利要求11所述的方法，其中电子器件还包括下列中的一个：天线、频率选择性表面、电阻器、电容器、和电感器。

15.一种器件，包括：

一个实质上透明或透明的衬底；

栅电极；

石墨烯薄膜；和

多个触点，其由银纳米线形成，位于部分石墨烯薄膜之上。

16.如权利要求15所述的器件，还包括下列之一：天线、频率选择性表面、电阻器、电容器、和电感器。

17.如权利要求15所述的器件，其中衬底配置为以一种能够进行选择、放大、转换以及混频的基于RF的频率运行。

18.如权利要求15所述的器件，其中栅电极包括金、铜、铟锡氧化物(ITO)、和铟锌氧化物(IZO)中的一种。

19.一种形成电子器件的方法，包括：

接收一个实质上透明或透明的衬底；

在部分衬底上形成石墨烯薄膜；以及

使用银纳米线在石墨烯薄膜上形成多个触点。

20.如权利要求19所述的方法，其中提供衬底还包括提供包含玻璃和树脂玻璃中的一个的衬底。

21.如权利要求19所述的方法，还包括至少使用热剥离胶带将石墨烯转移到衬底上。

22.如权利要求19所述的方法，还包括在衬底中形成下列之一：金属线、和狭槽。

23.如权利要求19所述的方法，还包括提供由金、铜、铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)中的一个形成的栅极。

24.如权利要求19所述的方法，还包括使用银纳米线形成下列之一：天线、频率选择性表面、电阻器、电容器、和电感器。