[发明专利]高电子密度的导电性钙铝石化合物的制造方法有效
| 申请号： | 201380050813.5 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN104684868B | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 伊藤和弘;渡边晓;渡边俊成;宫川直通 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;C04B35/44;C01F7/00;C01F7/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 胡烨,金明花 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子密度 导电性 石化 制造 方法 | ||
1.一种导电性钙铝石化合物的制造方法，其特征在于，包括
(1)准备含有钙铝石化合物的被处理体的工序，所述被处理体含有氟(F)成分，和
(2)将所述被处理体在一氧化碳气体以及由铝源供给的铝蒸汽的存在下以不接触所述铝源的状态进行配置，在还原性气氛下将所述被处理体保持在1080℃～1450℃的温度范围的工序。
2.如权利要求1所述的导电性钙铝石化合物的制造方法，其特征在于，在所述被处理体以及所述铝源被放入含碳容器中的状态下进行所述(2)工序。
3.如权利要求1或2所述的导电性钙铝石化合物的制造方法，其特征在于，所述含有钙铝石化合物的被处理体是含有含氟(F)成分的钙铝石化合物粉末的成形体，或者含有含氟(F)成分的钙铝石化合物的烧结体。
4.如权利要求1或2所述的导电性钙铝石化合物的制造方法，其特征在于，在所述(2)工序后制造导入了氟离子的钙铝石化合物。
5.如权利要求1或2所述的导电性钙铝石化合物的制造方法，其特征在于，所述(2)工序在100Pa以下的减压环境、或者氮以外的惰性气体气氛下进行。
6.如权利要求1或2所述的导电性钙铝石化合物的制造方法，其特征在于，得到电子密度为3×1020cm-3以上的导电性钙铝石化合物。
7.一种制造含有导电性钙铝石化合物的成膜用的靶材的方法，其特征在于，使用权利要求1～6中任一项所述的导电性钙铝石化合物的制造方法。
8.一种制造含有导电性钙铝石化合物的成膜用的靶材的方法，其特征在于，使用下述导电性钙铝石化合物的制造方法，包括
准备含有钙铝石化合物的被处理体的工序，和
将所述被处理体在一氧化碳气体以及由铝源供给的铝蒸汽的存在下以不接触所述铝源的状态进行配置，在还原性气氛下将所述被处理体在保持不接触所述铝源的状态下保持在1080℃～1450℃的温度范围的工序。
9.如权利要求8所述的制造成膜用的靶材的方法，其特征在于，所述含有钙铝石化合物的被处理体是含有钙铝石化合物的烧结体。
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