[发明专利]直接键合工艺有效
申请号: | 201380050458.1 | 申请日: | 2013-09-20 |
公开(公告)号: | CN104662649B | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | M·波卡特;阿诺德·卡斯泰;H·莱丝丽 | 申请(专利权)人: | 索泰克公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 吕俊刚,刘久亮 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 直接 工艺 | ||
1.一种直接键合工艺,该直接键合工艺包括以下步骤:
-将第一晶圆(10)放置(S10)在卡盘(2)的表面(6)上,所述表面包括凹槽(4);
-在所述凹槽中施加第一压力(P1),所述第一压力小于从所述第一晶圆(10)的被暴露面(10b)观察到的第二压力(P2);
-使第二晶圆(16)接触所述第一晶圆(10)的所述被暴露面(10b),然后在保持所述第一压力和所述第二压力的同时,开始键合波在两个晶圆之间的传播,使得所述第二晶圆(16)适形于由所述第一晶圆(10)强加的曲率,
由此,所述第一压力(P1)和所述第二压力(P2)之间的压力差在所述第一晶圆(10)中引起局部应力。
2.根据权利要求1所述的键合工艺,其中,所述凹槽(4)以正交栅格的形式布置在所述卡盘(2)的整个表面(6)上。
3.根据权利要求1所述的键合工艺,其中,所述凹槽(4)布置成以所述卡盘(2)的中心为中心的同心环的形式。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的键合工艺,其中,所述凹槽(4)均匀地分布于所述卡盘(2)的整个表面(6)上。
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的键合工艺,其中,所述凹槽在所述卡盘的表面的一个区中比在所述卡盘的表面的剩余部分中更紧密地间隔。
6.根据权利要求1所述的键合工艺,其中,所述第一压力(P1)和所述第二压力(P2)之间的压力差大于或等于3毫巴。
7.根据权利要求6所述的键合工艺,其中,所述压力差在3毫巴到10毫巴之间。
8.根据权利要求1所述的键合工艺,其中,所述卡盘(2)至少在接触步骤和开始所述键合波的传播的步骤期间加热所述第一晶圆(10)。
9.根据权利要求1所述的键合工艺,所述键合工艺还包括以下步骤:
-对通过直接键合所述第一晶圆和所述第二晶圆而得到的多层结构(20)进行退火(S25);
-将所述第一晶圆(10)或所述第二晶圆(16)薄化(S30)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造