[发明专利]用于外延生长的基材、其制造方法、及用于超导线材的基材

权利要求书

1.一种用于外延生长的基材，包含双轴晶体取向的铜层，其中基于所述铜层的极图的峰的半峰全宽Δφ在5°以内，并且基于所述极图的所述峰的峰尾宽度Δβ在15°以内，并且其中所述铜层的所述极图通过X射线衍射获得，并且所述峰尾宽度Δβ是在对应于峰高的1/50位置处的峰宽。

2.根据权利要求1所述的用于外延生长的基材，还包括在所述铜层上的包含镍或镍合金的保护层，其中所述保护层具有1μm或更大和5μm或更小的厚度，基于所述保护层的极图的峰的半峰全宽Δφ在6°以内，并且表面粗糙度Ra为20nm或更小。

3.一种用于制造根据权利要求1所述的用于外延生长的基材的方法，包括第一步骤和第二步骤，其中所述第一步骤为执行铜层的热处理，使得Δφ在6°以内并且所述峰尾宽度Δβ在25°以内，所述第二步骤为在第一步骤之后，以比所述第一步骤中所述热处理的温度高的温度执行所述铜层的热处理，使得Δφ在5°以内并且所述峰尾宽度Δβ在15°以内。

4.一种用于超导线材的基材，包括被层压在非磁性金属板上的根据权利要求1或2所述的用于外延生长的基材。