[发明专利]在由晶体材料制成的物体上产生原子上尖锐的刃口的方法

权利要求书

1. 一种用于生产切削装置的过程，包括以下步骤：

确定晶体材料内的优选平面；

蚀刻所述晶体材料的至少一个未保护部分来沿所述优选平面在所述晶体材料中生产至少一个小平面；以及

关于所述至少一个小平面的端部使定向的所述晶体材料解理来产生切削装置。

2. 根据权利要求1所述的过程，其特征在于，所述确定优选平面包括使用x射线来确定所述优选平面。

3. 根据权利要求1所述的过程，其特征在于，所述过程还包括以下步骤：

关于所述确定的优选平面将光阻层施加于所述晶体材料的至少一个表面，产生所述晶体材料的至少一个表面的至少一个受保护部分和所述至少一个未受保护部分。

4. 根据权利要求3所述的过程，其特征在于，所述至少一个表面为包括第一表面和第二表面的多个表面，并且施加于所述晶体材料的第一表面的所述光阻层与施加于所述第二表面的光阻层对准，以在各侧的所述表面上产生受保护的部分，并且在所述第一表面上产生所述未受保护的部分，并且在所述第二表面上产生未受保护的部分，以使各个表面上的所述未受保护的部分对准。

5. 根据权利要求3所述的过程，其特征在于，所述蚀刻包括利用蚀刻浴来蚀刻所述晶体材料，其中所述光阻层施加于所述晶体材料的产生的一个或更多个受保护的部分，以防止所述一个或更多个受保护的部分的蚀刻，其中所述晶体材料的至少一个未受保护的部分未由所述光阻层覆盖来容许蚀刻。

6. 根据权利要求3所述的过程，其特征在于，所述过程还包括确定是否达到端点，以及在达到所述端点时停止所述蚀刻。

7. 根据权利要求6所述的过程，其特征在于，确定是否达到端点包括确定以下中的至少一个：达到的V形或U形槽的顶点的深度、达到的所述V形或U形槽的所述顶点处的厚度，以及所述蚀刻发生的预定持续时间。

8. 根据权利要求7所述的过程，其特征在于，确定是否达到端点确定了所述顶点处的厚度小于大约30微米。

9. 根据权利要求7所述的过程，其特征在于，确定是否达到端点确定了所述顶点处的厚度小于大约15微米。

10. 根据权利要求1所述的过程，其特征在于，所述晶体材料为选自包括以下的组的单晶材料：蓝宝石、金刚砂和硅。

11. 根据权利要求10所述的过程，其特征在于，所述晶体材料为晶片形状。

12. 根据权利要求1所述的过程，其特征在于，所述蚀刻包括利用蚀刻溶液来蚀刻所述晶体材料。

13. 一种由权利要求1的过程生产的切削装置。

14. 一种用于生产切削装置的过程，包括以下步骤：

将光阻层施加于单晶材料的至少一个表面；

蚀刻所述单晶材料来生产至少一个小平面；以及

使所述单晶材料沿所述生产的至少一个小平面的刃口解理来产生尖锐的切削装置。

15. 根据权利要求14所述的过程，其特征在于，所述过程还包括确定晶体材料内的优选平面的步骤，其中所述施加步骤关于所述优选平面的定向施加所述光阻层。

16. 根据权利要求14所述的过程，其特征在于，所述蚀刻生产多个小平面。

17. 根据权利要求14所述的过程，其特征在于，所述至少一个表面为包括第一表面和第二表面的多个表面，并且所述蚀刻步骤蚀刻所述第一表面和所述第二表面来生产多个小平面。

18. 根据权利要求17所述的过程，其特征在于，所述多个小平面形成所述晶体材料的第一侧上的至少一个槽，并且形成所述晶体材料的第二侧上的至少一个槽。

19. 根据权利要求18所述的过程，其特征在于，由所述多个小平面形成在各侧上的顶点相对于所述晶体材料内的确定优选平面对准。

20. 根据权利要求19所述的过程，其特征在于，所述解理步骤沿形成在各侧上的所述顶点解理来生产尖锐的切削装置。

21. 根据权利要求14所述的过程，其特征在于，所述过程还包括确定是否达到端点，以及在达到所述端点时停止所述蚀刻。