[发明专利]氧化物半导体薄膜以及薄膜晶体管在审

申请号：	201380049309.3	申请日：	2013-10-10
公开（公告）号：	CN104685634A	公开（公告）日：	2015-06-03
发明（设计）人：	中山德行	申请（专利权）人：	住友金属矿山株式会社
主分类号：	H01L29/786	分类号：	H01L29/786
代理公司：	隆天知识产权代理有限公司 72003	代理人：	张永康;李英艳
地址：	日本国***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	氧化物半导体薄膜以及薄膜晶体管
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【权利要求书】：

1.一种氧化物半导体薄膜，其中，所述氧化物半导体薄膜由含有铟和钨的氧化物构成，并且，钨含量以W/In原子数比计为0.005～0.12，并且，所述氧化物半导体薄膜是结晶质的薄膜且仅由方铁锰矿型结构的In₂O₃相构成，并且，载流子浓度为1×10¹⁸cm^-3以下，载流子迁移率比1cm²/Vsec高。

2.一种氧化物半导体薄膜，其特征在于，所述氧化物半导体薄膜由含有铟、锌以及钨的氧化物构成，并且，钨含量以W/In原子数比计为0.005～0.12，锌含量以Zn/In原子数比计为0.05以下，并且，所述氧化物半导体薄膜是结晶质的薄膜且仅由方铁锰矿型结构的In₂O₃相构成，并且，载流子浓度为1×10¹⁸cm^-3以下，载流子迁移率比1cm²/Vsec高。

3.如权利要求1所述的氧化物半导体薄膜，其中，钨含量以W/In原子数比计为0.01～0.05。

4.如权利要求2所述的氧化物半导体薄膜，其中，钨含量以W/In原子数比计为0.01～0.05，并且，锌含量以Zn/In原子数比计为0.003～0.03。

5.如权利要求1或2所述的氧化物半导体薄膜，其中，膜厚为15～200nm。

6.如权利要求1或2所述的氧化物半导体薄膜，其中，膜厚为40～100nm。

7.如权利要求1或2所述的氧化物半导体薄膜，其中，平均结晶粒径为10nm以上。

8.如权利要求1或2所述的氧化物半导体薄膜，其中，载流子迁移率为3cm²/Vsec以上。

9.如权利要求1或2所述的氧化物半导体薄膜，其中，载流子迁移率为10cm²/Vsec以上。

10.如权利要求1或2所述的氧化物半导体薄膜，其中，载流子浓度处于1×10¹⁶～1×10¹⁷cm^-3的范围。

11.一种薄膜晶体管，其具有源极电极、漏极电极、栅极电极、信道层以及栅极绝缘层，其特征在于，所述信道层由权利要求1或2所述的氧化物半导体薄膜构成。

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