[发明专利]用于生产高温接收器太阳能装置的基底的光学选择性涂层的方法及获得的相关材料

权利要求书

1.一种用于生产用于适合于在高温下操作的太阳能接收器的合适材料的接收器基底的光学选择性涂层的方法，所述方法包括：

·将由普遍地呈α相的W金属组成的反射红外辐射的层沉积于在400℃至600℃的温度下经加热的接收器基底上；

·当沉积所述反射红外辐射的层时，在相同的温度和压力条件下退火；

·将金属-陶瓷复合材料(CERMET)的一个或更多个层沉积在所述普遍地呈α相的W金属上，其中陶瓷基体是YPSZ(“氧化钇-部分稳定的氧化锆”)；

·将抗反射层沉积在金属陶瓷上；

·当沉积所述金属陶瓷和所述抗反射层时，在相同的温度和压力条件下退火；

其中W的所述反射红外辐射的层在无需匹配层的任何预先沉积的情况下制备。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述太阳能接收器由线性抛物线型槽的接收器管构成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述抗反射层由YPSZ组成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述反射红外辐射的层、所述金属陶瓷层和所述抗反射层的沉积利用所述基底或所述接收器管的移动借助于在单一室中同时进行的DC/RF溅射来实施。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底或所述接收器管由不锈钢组成。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述基底或所述接收器管通过具有不大于0.20微米的尺寸的合适的研磨膏来抛光。

7.根据权利要求4所述的方法，其中W的所述反射红外辐射的层借助于按序排列的以下步骤来制备：

-足以防止氧污染物的所述室中的初始真空水平；

-在所述室中提供具有W目标的DC磁控管源；

-预溅射所述W目标；

-加热所述基底；

-溅射和低速振荡W的所述DC磁控管源上的所述基底；

-在相同的沉积温度和相同的溅射压力下退火。

8.根据权利要求7所述的方法，其中确保以下条件来制备W的所述反射红外辐射的层：

-所述室中的所述初始真空水平的压力范围为从1×10^-6毫巴至5×10^-6毫巴；

-将所述基底或所述接收器管从400℃加热至600℃；

-在范围从2.7×10^-2毫巴至3.2×10^-2毫巴的压力下溅射，同时使所述基底以范围从0.1cm/s至1cm/s的低速度在DC源上振荡；

-在与所述溅射相同的温度和压力下，退火持续范围从0.5h至2h的时间；

以便获得具有范围为从200nm至900nm的厚度的普遍地呈α相的W的所述反射红外辐射的层。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所沉积的所述金属陶瓷层由YPSZ的基体中的按纳米级分散的W组成，所述W的量的范围为按体积计的从30％至70％，所述YPSZ的基体的量的范围为按体积计的从70％至30％。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述金属陶瓷层借助于按序排列的以下步骤来制备：

-预溅射YPSZ目标；

-加热所述基底或所述接收器管；

-溅射和振荡所述基底，以便使所述基底交替地暴露于W的所述DC磁控管源和YPSZ源。

11.根据权利要求7至8和10中任一项所述的方法，其中由按纳米级分散的W组成的金属陶瓷的第二层以范围为按体积计的从20％至60％的量沉积在YPSZ的基体中，所述YPSZ的基体的量的范围为按体积计的从80％至40％，所述第二层中的W的体积百分比相对于预先沉积的所述金属陶瓷层是更低的。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述金属陶瓷的第二层借助于按序排列的以下步骤来制备：

-加热所述基底或所述接收器管；

-溅射和振荡所述基底，以便使所述基底交替地暴露于W的所述DC磁控管源和YPSZ源。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述金属陶瓷层通过在低功率下进行所述YPSZ目标的所述预溅射并且持续范围从8’至12’的短时间来制备。