[发明专利]碳化硅半导体器件有效
| 申请号： | 201380048989.7 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN104662664B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 山田俊介;日吉透;增田健良;和田圭司 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
1.一种碳化硅半导体器件，包括：设置有半导体元件的元件区；以及具有第一导电类型并且在平面图中围绕所述元件区的保护环区，
所述半导体元件包括具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的漂移区，
所述保护环区包括线性区以及接续地连接至所述线性区的曲率区，
通过将所述曲率区的内周部的曲率半径除以所述漂移区的厚度获得的值为不小于5且不大于10。
2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体器件，其中
所述半导体元件包括接触所述漂移区并且具有所述第二导电类型的体区，并且
所述体区的厚度大于所述保护环区的厚度。
3.根据权利要求2所述的碳化硅半导体器件，其中所述保护环区包括接触所述体区并且具有所述第二导电类型的JTE区。
4.根据权利要求3所述的碳化硅半导体器件，其中
所述半导体元件包括接触所述体区并且具有所述第一导电类型的源区，以及接触所述源区的源电极，并且
所述JTE区接触所述源电极。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的碳化硅半导体器件，其中所述保护环区包括不与所述元件区接触的保护环。
6.根据权利要求5所述的碳化硅半导体器件，其中
设置多个所述保护环，并且
通过将多个所述保护环的最内侧保护环的曲率区的内周部的曲率半径除以所述漂移区的所述厚度获得的值为不小于5且不大于10。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的碳化硅半导体器件，还包括具有所述第一导电类型并且在平面图中围绕所述保护环区的场停止区。
8.根据权利要求7所述的碳化硅半导体器件，其中在平面图中，在所述保护环区的所述外周部的任意位置处，所述保护环区的外周部和所述场停止区的内周部之间的距离都是恒定的。
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