[发明专利]表面处理镀敷材料及其制造方法、以及电子零件

权利要求书

1.不存在晶须的表面处理镀敷材料，其是在金属基材依次形成有由Ni或Ni合金镀敷构成的下层、及厚度0.02～0.5μm的由Sn或Sn合金镀敷构成的上层的镀敷材料，且在所述上层表面存在P及N，

附着在所述上层表面的P及N元素的量分别为：

P：1×10^-11～4×10^-8mol/cm²、N：2×10^-12～8×10^-9mol/cm²。

2.如权利要求1所述的表面处理镀敷材料，其中，通过XPS分析所述上层时，将检测出的起因于P的2S轨道电子的光电子检测强度设为I（P2s），起因于N的1S轨道电子的光电子检测强度设为I（N1s）时，满足0.1≤I（P2s）/I（N1s）≤1。

3.如权利要求1所述的表面处理镀敷材料，其中，通过XPS分析所述上层时，将检测出的起因于P的2S轨道电子的光电子检测强度设为I（P2s），起因于N的1S轨道电子的光电子检测强度设为I（N1s）时，满足1＜I（P2s）/I（N1s）≤50。

4.如权利要求1所述的表面处理镀敷材料，其中，所述下层的硬度为150～900Hv/10g。

5.如权利要求1所述的表面处理镀敷材料，其中，所述上层由选自下述A构成元素组中的Sn、或者Sn及In与选自下述B构成元素组中的1种或2种以上元素的合金构成，所述A构成元素组是由Sn及In组成的组，所述B构成元素组是由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir组成的组。

6.如权利要求5所述的表面处理镀敷材料，其中，在所述上层的表面，存在0.02μm以下的下述区域，所述区域是：A构成元素的合计原子浓度（at%）≥B构成元素的合计原子浓度（at%），O的原子浓度（at%）≥10at%。

7.如权利要求5所述的表面处理镀敷材料，其中，所述上层含有10～50at%的A构成元素组的金属。

8.如权利要求5所述的表面处理镀敷材料，其满足下述（1）～（6）中的任一项：

（1）在所述上层存在含有11.8～22.9at%的Sn的SnAg合金即ζ（zeta）相；

（2）在所述上层存在Ag₃Sn即ε（epsilon）相；

（3）在所述上层存在含有11.8～22.9at%的Sn的SnAg合金即ζ（zeta）相与Ag₃Sn即ε（epsilon）相；

（4）在所述上层仅存在Ag₃Sn即ε（epsilon）相；

（5）在所述上层存在Ag₃Sn即ε（epsilon）相与Sn单相即βSn；

（6）在所述上层存在含有11.8～22.9at%的Sn的SnAg合金即ζ（zeta）相、Ag₃Sn即ε（epsilon）相及Sn单相即βSn。

9.如权利要求1所述的表面处理镀敷材料，其中，所述上层的表面的、根据JIS B 0601的算术平均高度为0.3μm以下。

10.如权利要求1所述的表面处理镀敷材料，其中，所述上层的表面的、根据JIS B 0601的最大高度为3μm以下。

11.如权利要求1所述的表面处理镀敷材料，其中，所述下层由选自C构成元素组中的Ni或者Ni及另外1种或2种以上元素构成，所述C构成元素组是由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu组成的组。

12.如权利要求11所述的表面处理镀敷材料，其中，将选自所述C构成元素组中的Ni或者Ni及另外1种或2种以上元素成膜在所述基材上，然后，将选自B构成元素组中的1种或2种元素成膜，然后将选自A构成元素组中的Sn或者Sn及In成膜，通过所述A构成元素组、所述B构成元素组及所述C构成元素组的各元素扩散，而形成上层的Sn合金层及下层的Ni合金层，

所述A构成元素组：Sn及In；

所述B构成元素组：Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir。

13.如权利要求12所述的表面处理镀敷材料，其中，所述扩散是通过热处理而进行。