[发明专利]具有双模式引脚的闪存存储器控制器有效

专利信息
申请号: 201380048582.4 申请日: 2013-09-18
公开(公告)号: CN104704563B 公开(公告)日: 2018-02-16
发明(设计)人: HJ·欧;J-K·金;H-W·李;Y·G·金 申请(专利权)人: 诺瓦芯片加拿大公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C16/06
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 代理人: 王勇,王博
地址: 加拿大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 双模 引脚 闪存 存储器 控制器
【权利要求书】:

1.一种双接口闪存存储器控制器,包括:

NAND闪存存储器接口,其具有:

用于与存储器传递信息的包括单个焊盘的第一存储器接口端口,所述第一存储器接口端口包括配置成提供第一信号并接收第二信号的电路,所述第一信号对于以第一存储器接口协议与配置用于多分支总线架构的存储器进行通信是兼容的,所述第二信号对于以不同于所述第一存储器接口协议的第二存储器接口协议与配置用于串行点到点总线架构的存储器进行通信是兼容的,所述电路包括配置成驱动所述第一信号的第一信号路径以及配置成缓冲所述第二信号的第二信号路径;

第二存储器接口端口,所述第二存储器接口端口包括第一输入电路和第二输入电路,所述第一输入电路配置成用于从第二单个焊盘接收与所述第一存储器接口协议相对应的输入信号,所述第二输入电路配置成用于从所述第二单个焊盘接收与所述第二存储器接口协议相对应的另一输入信号;

模式选择器电路,用于响应于施加的电压电平而启用第一信号路径或第二信号路径;以及

主机接口,其具有用于在主机装置和所述存储器控制器之间传递信息的主机接口端口。

2.如权利要求1所述的双接口闪存存储器控制器,还包括:电耦合到所述模式选择器电路的焊盘,用于接收所述施加的电压电平。

3.如权利要求1所述的双接口闪存存储器控制器,还包括:选择器电路,用于响应于由所述模式选择器电路提供的具有第一逻辑状态和第二逻辑状态之一的选择信号,选择性地将所述第二单个焊盘耦合到所述第一输入电路或所述第二输入电路之一。

4.如权利要求3所述的双接口闪存存储器控制器,其中所述电路包括配置成缓冲第三信号的第三信号路径,所述第三信号对应于所述第一存储器接口协议。

5.如权利要求4所述的双接口闪存存储器控制器,其中所述第三信号路径包括:输出电路,其配置成用于向所述单个焊盘提供与存储器接口协议相对应的输出信号。

6.如权利要求1所述的双接口闪存存储器控制器,还包括第三存储器接口端口,所述第三存储器接口端口包括:

第一输出电路,其配置成用于向第三单个焊盘提供与所述第一存储器接口协议相对应的输出信号,以及

第二输出电路,其配置成用于从所述第三单个焊盘提供与所述第二存储器接口协议相对应的另一输出信号。

7.如权利要求1所述的双接口闪存存储器控制器,还包括第三存储器接口端口,所述第三存储器接口端口包括:

输入电路,其配置成用于从第三单个焊盘接收与所述第一存储器接口协议相对应的输入信号,以及

输出电路,其配置成用于向所述第三单个焊盘提供与所述第二存储器接口协议相对应的输出信号。

8.如权利要求7所述的双接口闪存存储器控制器,还包括:选择器电路,用于响应于由所述模式选择器电路提供的具有第一逻辑状态和第二逻辑状态之一的选择信号,选择性地将所述第三单个焊盘耦合到所述输入电路或所述输出电路之一。

9.如权利要求1所述的双接口闪存存储器控制器,其中所述第一存储器接口协议是ONFi存储器接口协议,以及所述第二存储器接口协议是HLNAND存储器接口协议。

10.如权利要求1所述的双接口闪存存储器控制器,其中所述模式选择器电路配置成:将所述第一存储器接口端口设置为以所述第一存储器接口协议操作以便响应于第一电压接收和提供数据选通信号,以及将所述第一存储器接口端口设置为以所述第二存储器接口协议操作以便响应于第二电压接收时钟信号。

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