[发明专利]使用多个流动途径的自由基化学调制及控制

权利要求书

1.一种用于半导体处理的系统，该系统包含：

腔室，该腔室经配置以在该腔室的处理区域内容纳半导体基板；

第一远端等离子体系统，该第一远端等离子体系统与该腔室的第一出入口流体耦接且经配置以经由该第一出入口输送第一前驱物至该腔室内；

第二远端等离子体系统，该第二远端等离子体系统与该腔室的第二出入口流体耦接且经配置以经由该第二出入口输送第二前驱物至该腔室内。

2.如权利要求1所述的系统，其特征在于，该系统经配置

以保持该第一前驱物及该第二前驱物彼此流体隔离，直至该等前驱物经输送至该腔室的该处理区域为止。

3.如权利要求1所述的系统，其特征在于，该第一出入口靠近该腔室的顶部或位于该腔室的顶部处，且该第二出入口靠近该腔室的侧部或位于该腔室的侧部处。

4.如权利要求1所述的系统，其特征在于，该系统进一步包含一气体分配组件，该气体分配组件位于该腔室内在该腔室的该处理区域的一顶部处或在该腔室的该处理区域上方且该气体分配组件经配置以输送该第一前驱物及该第二前驱物两者至该腔室的该处理区域内。

5.如权利要求4所述的系统，其特征在于，该气体分配组件包含上板及下板，其中该上板及该下板彼此耦接以界定在该等板之间的一容积，其中该等板的该耦接提供经由该上板及该下板的第一流体通道及经由该下板的第二流体通道，且该等板的该耦接经配置以提供经由该下板自该容积的流体出入口，且其中该等第一流体通道与在该等板之间的该容积及该等第二流体通道流体隔离。

6.如权利要求5所述的系统，其特征在于，可经由该气体分配组件的侧面流体地进入该容积，该气体分配组件与该腔室中的该第二出入口流体耦接。

7.如权利要求6所述的系统，其特征在于，该腔室经配置以经由该腔室中的该第一出入口及经由该气体分配组件中的该等第一流体通道自该第一远端等离子体系统提供该第一前驱物进入该腔室的该处理区域内。

8.如权利要求6所述的系统，其特征在于，该腔室经配置以经由该腔室中的该第二出入口自该第二远端等离子体系统提供该第二前驱物进入该腔室内、进入该上板与该下板之间所界定的该容积内及经由该气体分配组件中的该等第二流体通道进入该腔室的该处理区域内。

9.如权利要求7所述的系统，其特征在于，该气体分配组件经配置以防止该第二前驱物经由该气体分配组件的该上板的流动。

10.如权利要求1所述的系统，其特征在于，该第一远端等离子体系统包含第一材料且该第二远端等离子体系统包含第二材料。

11.如权利要求10所述的系统，其特征在于，该第一材料基于该第一前驱物的组成而选定。

12.如权利要求11所述的系统，其特征在于，该第二材料基于该第二前驱物的组成而选定。

13.如权利要求12所述的系统，其特征在于，该第一材料及该第二材料为不同的材料。

14.如权利要求1所述的系统，其特征在于，该第一远端等离子体系统及该第二远端等离子体系统选自由以下各者组成的群组：射频等离子体单元、电容式耦接等离子体单元、电感式耦接等离子体单元、微波等离子体单元及环形等离子体单元。

15.如权利要求1所述的系统，其特征在于，该第一远端等离子体系统及该第二远端等离子体系统经配置以在介于约10W至高于10kW或约10kW之间的功率值下操作。

16.如权利要求15所述的系统，其特征在于，该第一远端等离子体系统经配置以在第一功率值下操作，该第一功率值系基于该第一前驱物的组成而选定。

17.如权利要求16所述的系统，其特征在于，该第二远端等离子体系统经配置以在第二功率值下操作，该第二功率值基于该第二前驱物的组成而选定。

18.如权利要求17所述的系统，其特征在于，该系统经配置以在不同于彼此的功率值下操作该第一远端等离子体单元及该第二远端等离子体单元。