[发明专利]半导体装置以及使用该半导体装置的电流检测电路在审
申请号: | 201380048083.5 | 申请日: | 2013-10-25 |
公开(公告)号: | CN104641557A | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 关川贵善 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H03K17/08 | 分类号: | H03K17/08 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王颖;金玉兰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 使用 电流 检测 电路 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,
在同一半导体基板上具有主元件和用于检测流过所述主元件的电流的感测元件,所述主元件的集电极端子和所述感测元件的集电极端子相互连接,当使所述主元件导通时,向所述感测元件的栅极施加指示比所述主元件提前导通的栅极信号。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
在使所述主元件导通时的向所述主元件施加的栅极信号,是通过延迟电路使在使所述感测元件导通时施加到所述感测元件的栅极信号延迟而得的信号。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,
所述主元件和所述感测元件在所述半导体基板上相邻设置。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,
所述主元件和所述感测元件是将一个功率半导体元件分为两个区域而形成的。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体装置,其特征在于,
所述主元件和所述感测元件是IGBT。
6.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置,其特征在于,
所述主元件是由多个基本元件并联连接而成的,所述感测元件是由一个单位元件构成或由多个所述单位元件并联连接而成的。
7.一种电流检测电路,其特征在于,
使用权利要求1至6中任意一项所述的半导体装置,并将检测到流过所述感测元件的电流值的信号作为表示流过所述主元件的电流的电流信号。
8.根据权利要求7所述的电流检测电路,其特征在于,
在从向所述感测元件施加使所述感测元件导通的栅极信号开始的预定期间内,使所述电流信号无效。
9.根据权利要求8所述的电流检测电路,其特征在于,
所述预定期间为在从向所述感测元件施加使所述感测元件导通的栅极信号开始到向所述主元件施加使所述主元件导通的栅极信号为止的时间与从所述主元件的栅极信号上升开始至到达所述主元件的阈值电压为止的时间之和以下。
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